ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160J-7TL
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 9.03 | Dhs. 9.03 |
| 15+ | Dhs. 8.76 | Dhs. 131.40 |
| 25+ | Dhs. 8.57 | Dhs. 214.25 |
| 50+ | Dhs. 8.09 | Dhs. 404.50 |
| 100+ | Dhs. 7.14 | Dhs. 714.00 |
| N+ | Dhs. 1.43 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Tube | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de la mémoire | 256 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 16M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 143 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 5,4 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 54-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 54-TSOP II |
| RoHS |  |
IS42S16160J-7TL - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 256 Mbit
La puce IS42S16160J-7TL d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une DRAM synchrone haute fiabilité de 256 Mbits conçue pour les applications embarquées exigeantes et critiques. Ce circuit intégré de mémoire de qualité industrielle offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 143 MHz et un temps d'accès ultrarapide de 5,4 ns, ce qui le rend idéal pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des télécommunications et des systèmes de contrôle industriels.
Principales caractéristiques et avantages
- Mémoire haute densité : une capacité de 256 Mbits avec une organisation de 16 Mbits x 16 offre un espace de stockage suffisant pour les applications gourmandes en données.
- Performances rapides : une fréquence d'horloge de 143 MHz et un temps d'accès de 5,4 ns garantissent une récupération rapide des données.
- Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V et température de fonctionnement de 0 °C à 70 °C
- Interface parallèle fiable : interface parallèle SDRAM standard pour une intégration transparente
- Boîtier de qualité industrielle : boîtier CMS 54-TSOP II pour un assemblage robuste sur circuit imprimé
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
Spécifications techniques
Applications
Ce circuit intégré SDRAM est conçu pour les systèmes à haute fiabilité, notamment les contrôleurs embarqués, les équipements d'automatisation industrielle, les infrastructures de télécommunications, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux et les systèmes aérospatiaux, où des performances constantes et une disponibilité sur une longue durée de vie sont essentielles.
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