ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160J-7TLI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 9.03 | Dhs. 9.03 |
| 15+ | Dhs. 8.76 | Dhs. 131.40 |
| 25+ | Dhs. 8.57 | Dhs. 214.25 |
| 50+ | Dhs. 8.09 | Dhs. 404.50 |
| 100+ | Dhs. 7.14 | Dhs. 714.00 |
| N+ | Dhs. 1.43 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de la mémoire | 256 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 16M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 143 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 5,4 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 54-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 54-TSOP II |
| RoHS |
IS42S16160J-7TLI-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 256 Mbit
Le circuit intégré de mémoire SDRAM IS42S16160J-7TLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) est une mémoire SDRAM 256 Mbits haute fiabilité conçue pour les applications embarquées et critiques exigeantes. Ce composant DRAM volatil présente une organisation mémoire 16 Mbits x 16 avec interface parallèle, offrant des temps d'accès rapides de 5,4 ns et fonctionnant à des fréquences d'horloge jusqu'à 143 MHz.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 143 MHz et un temps d’accès de 5,4 ns garantissent un traitement rapide des données pour les applications critiques en temps réel, ce qui la rend idéale pour les systèmes embarqués temps réel et le traitement de données à haut débit.
- Plage de fonctionnement robuste : fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C (TA), ce qui le rend adapté aux environnements industriels, automobiles et aérospatiaux où les températures extrêmes sont fréquentes.
- Alimentation flexible : la plage de tension d'alimentation de 3 V à 3,6 V assure la compatibilité avec diverses architectures système et réduit la consommation d'énergie des appareils fonctionnant sur batterie.
- Conception compacte : le boîtier CMS 54-TSOP II (0,400", largeur 10,16 mm) optimise l'utilisation de l'espace sur la carte tout en maintenant d'excellentes performances thermiques.
- Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales relatives à la fabrication sans plomb, garantissant ainsi la conformité aux réglementations environnementales internationales.
- Haute fiabilité : Conçu pour les applications critiques, avec une fiabilité éprouvée dans des conditions d'exploitation difficiles.
Applications
Ce circuit intégré SDRAM est idéal pour une large gamme d'applications exigeantes, notamment :
- Équipements de télécommunications : routeurs de réseau, commutateurs et stations de base nécessitant une mise en mémoire tampon de données à haut débit.
- Contrôleurs industriels : automates programmables, systèmes d’automatisation et équipements de contrôle de processus
- Dispositifs médicaux : équipements de diagnostic, systèmes de surveillance des patients et dispositifs d’imagerie
- Matériel réseau : commutateurs Ethernet, pare-feu et stockage en réseau (NAS)
- Systèmes automobiles : systèmes avancés d’aide à la conduite (ADAS), systèmes d’infodivertissement et unités de commande du moteur
- Aérospatiale et défense : Avionique, systèmes radar et plateformes informatiques critiques
Spécifications techniques
Avantages en matière de performance
La puce IS42S16160J-7TLI-TR offre des performances exceptionnelles qui la distinguent sur le marché des mémoires SDRAM. Avec sa fréquence d'horloge de 143 MHz et son temps d'accès ultrarapide de 5,4 ns, ce circuit intégré mémoire fournit la vitesse requise pour les applications gourmandes en bande passante. Son architecture 16M x 16 offre une largeur de chemin de données optimale pour des accès mémoire efficaces, tandis que son interface parallèle assure la compatibilité avec une large gamme de microcontrôleurs et de processeurs.
Qualité et fiabilité
Fabriqué par ISSI, leader reconnu dans le domaine des solutions de mémoire, ce circuit intégré SDRAM est soumis à des tests rigoureux afin de garantir des performances constantes sur toute sa plage de températures de fonctionnement. Sa spécification de température industrielle (-40 °C à 85 °C) le rend adapté aux environnements exigeants où les composants grand public seraient défaillants.
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Ressources connexes
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