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Promotion Épuisé
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1 Dhs. 11.69 Dhs. 11.69
15+ Dhs. 11.31 Dhs. 169.65
25+ Dhs. 11.06 Dhs. 276.50
50+ Dhs. 10.45 Dhs. 522.50
100+ Dhs. 9.22 Dhs. 922.00
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Quantité
Component Recycling

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM
Taille de la mémoire 256 Mbits
Organisation de la mémoire 16M x 16
Interface mémoire LVTTL
Fréquence d'horloge 166 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 5,4 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 54-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 54-TFBGA (8x8)

IS42S16160L-6BL-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 256 Mbit

Le circuit intégré IS42S16160L-6BL-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) est une mémoire DRAM synchrone (SDRAM) de 256 Mbits haute fiabilité, conçue pour les applications exigeantes dans les secteurs industriel, automobile, des télécommunications et des systèmes embarqués. Ce composant mémoire haut de gamme offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès rapide de 5,4 ns, ce qui le rend idéal pour les applications gourmandes en données nécessitant des opérations de lecture/écriture rapides.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 5,4 ns garantissent un traitement rapide des données pour les applications critiques en termes de temps.
  • Organisation optimale de la mémoire : la configuration 16 M x 16 (capacité totale de 256 Mbits) offre une architecture mémoire flexible pour répondre à divers besoins système.
  • Interface standard de l'industrie : l'interface LVTTL assure une large compatibilité avec les architectures système et les microcontrôleurs existants.
  • Format compact : le boîtier CMS 54-TFBGA (8 x 8 mm) optimise l'espace sur la carte dans les conceptions à espace limité.
  • Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V et plage de température de fonctionnement de 0 °C à 70 °C, compatible avec les applications commerciales et industrielles.
  • Conditionnement fiable en bande et bobine : le conditionnement TR garantit la compatibilité avec les assemblages automatisés et la protection des composants pendant la fabrication.

Applications

Ce circuit intégré de mémoire SDRAM est conçu pour les systèmes critiques, notamment :

  • Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
  • Plateformes d'infodivertissement et d'ADAS automobiles
  • équipement d'infrastructure de télécommunications
  • Dispositifs de diagnostic et de surveillance médicale
  • Informatique embarquée et dispositifs périphériques IoT
  • Systèmes d'acquisition de données haute performance

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Distributeur agréé des produits semi-conducteurs ISSI, HQICKEY garantit l'authenticité de ses composants et leur traçabilité complète. Chaque unité IS42S16160L-6BL-TR est livrée avec une documentation complète, des certifications de qualité et un support technique pour une intégration optimale à vos conceptions. Notre réseau logistique mondial assure une livraison rapide pour un approvisionnement juste-à-temps, minimisant ainsi les coûts de stockage et respectant les délais de production.

Spécifications techniques

Assurance qualité et assistance

Chaque composant IS42S16160L-6BL-TR est soumis à un contrôle qualité rigoureux et est livré avec la documentation du fabricant, incluant fiches techniques, notes d'application et ressources de conception. Notre équipe technique assure un accompagnement avant-vente et un support après-vente pour garantir une sélection optimale des composants et une intégration réussie.

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