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15+ Dhs. 12.79 Dhs. 191.85
25+ Dhs. 12.51 Dhs. 312.75
50+ Dhs. 11.82 Dhs. 591.00
100+ Dhs. 10.43 Dhs. 1,043.00
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Quantité
Component Recycling

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Plateau |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM
Taille de la mémoire 256 Mbits
Organisation de la mémoire 16M x 16
Interface mémoire LVTTL
Fréquence d'horloge 166 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 5,4 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 54-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 54-TSOP II

IS42S16160L-6TL - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 256 Mbit

La mémoire DRAM synchrone IS42S16160L-6TL d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) de 256 Mbits offre une fiabilité élevée et est conçue pour les applications exigeantes dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels, des télécommunications et des équipements médicaux. Cette mémoire SDRAM à montage en surface offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès ultrarapide de 5,4 ns, ce qui la rend idéale pour les systèmes embarqués à forte intensité de données nécessitant des opérations mémoire rapides.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 5,4 ns garantissent un traitement rapide des données pour les applications critiques en termes de temps.
  • Configuration mémoire optimale : capacité de 256 Mbits organisée en 16 Mbits x 16, offrant une architecture mémoire flexible pour répondre à divers besoins système.
  • Fiabilité de niveau industriel : La plage de températures de fonctionnement de 0 °C à 70 °C (TA) garantit des performances stables dans des environnements difficiles.
  • Fonctionnement basse tension : une tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V réduit la consommation d’énergie tout en maintenant des performances élevées.
  • Conception compacte : le boîtier CMS 54-TSOP II compact (0,400 pouce, largeur 10,16 mm) optimise l'espace sur le circuit imprimé.
  • Interface LVTTL : Interface standard du secteur garantissant une intégration transparente avec les architectures système existantes.

Applications idéales

Cette mémoire SDRAM est parfaitement adaptée aux équipements de réseau, aux contrôleurs d'automatisation industrielle, aux systèmes d'infodivertissement automobiles, aux dispositifs de diagnostic médical, aux infrastructures de télécommunications et aux plateformes informatiques embarquées nécessitant une mémoire volatile haute vitesse à la fiabilité éprouvée.

Spécifications techniques complètes

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