ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160L-6TLI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 12.81 | Dhs. 12.81 |
| 15+ | Dhs. 12.41 | Dhs. 186.15 |
| 25+ | Dhs. 12.14 | Dhs. 303.50 |
| 50+ | Dhs. 11.47 | Dhs. 573.50 |
| 100+ | Dhs. 10.12 | Dhs. 1,012.00 |
| N+ | Dhs. 2.02 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de la mémoire | 256 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 16M x 16 |
| Interface mémoire | LVTTL |
| Fréquence d'horloge | 166 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 5,4 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 54-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 54-TSOP II |
IS42S16160L-6TLI-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 256 Mbit
La puce IS42S16160L-6TLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) est une DRAM synchrone haute fiabilité de 256 Mbits conçue pour les applications critiques dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'automatisation industrielle, des dispositifs médicaux et des infrastructures de télécommunications. Ce circuit intégré de mémoire volatile offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès ultrarapide de 5,4 ns, ce qui le rend idéal pour les systèmes embarqués à forte intensité de données et les applications de traitement en temps réel.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 5,4 ns garantissent un débit de données rapide pour les applications exigeantes.
- Organisation optimale de la mémoire : la configuration 16M x 16 (capacité totale de 256 Mbit) offre une architecture mémoire flexible
- Fiabilité de niveau industriel : plage de températures de fonctionnement étendue (-40 °C à 85 °C) pour les environnements difficiles
- Interface LVTTL : La compatibilité TTL basse tension réduit la consommation d’énergie tout en préservant l’intégrité du signal.
- Conception pour montage en surface : boîtier 54-TSOP II (0,400 pouce, largeur 10,16 mm) optimisé pour l’assemblage automatisé et les agencements de circuits imprimés à espace restreint.
- Large plage de tension : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour une intégration système flexible
- Emballage en bande et bobine : Emballage prêt à la production pour la fabrication en grande série
Applications idéales
Ce circuit intégré de mémoire SDRAM est conçu pour les secteurs à haute fiabilité, notamment l'avionique aérospatiale, les systèmes ADAS automobiles, les systèmes de contrôle industriels, les équipements d'imagerie médicale, les stations de base de télécommunications et les plateformes informatiques embarquées nécessitant des performances constantes dans des conditions extrêmes.
Spécifications techniques
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Disponibilité des stocks : Contactez-nous pour connaître les niveaux de stock actuels, les tarifs dégressifs et les délais de livraison. Nous proposons des options de commande flexibles, notamment la possibilité de commander des quantités en bande et bobine pour les séries de production.

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