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Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 Dhs. 13.07 Dhs. 13.07
15+ Dhs. 12.65 Dhs. 189.75
25+ Dhs. 12.38 Dhs. 309.50
50+ Dhs. 11.69 Dhs. 584.50
100+ Dhs. 10.31 Dhs. 1,031.00
N+ Dhs. 2.06 Price Inquiry
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Quantité
Component Recycling

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM
Taille de la mémoire 64 Mbits
Organisation de la mémoire 4M x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 166 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 5 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 60-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 60-MiniBGA (6,4 x 10,1)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

IS42S16400D-6BL-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 64 Mbit

La mémoire IS42S16400D-6BL-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une DRAM synchrone haut de gamme de 64 Mbits conçue pour les applications exigeantes nécessitant une mémoire rapide et fiable. Cette SDRAM de qualité industrielle offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès ultrarapide de 5 ns, ce qui la rend idéale pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'automatisation industrielle, des équipements médicaux et des télécommunications.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 5 ns garantissent un traitement rapide des données.
  • Configuration mémoire optimale : capacité de 64 Mbits organisée en 4 Mbits x 16 pour une gestion efficace des données
  • Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C dans des environnements difficiles.
  • Conception compacte pour montage en surface : le boîtier 60-TFBGA (6,4 × 10,1 mm) permet un gain de place précieux sur la carte.
  • Large plage de tension : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour une intégration système flexible
  • Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes internationales.

Spécifications techniques

Applications

Cette mémoire SDRAM haute fiabilité est conçue pour les applications critiques, notamment :

  • Systèmes aérospatiaux et de défense
  • Électronique automobile et infodivertissement
  • Contrôle et automatisation industriels
  • équipement de diagnostic médical
  • Infrastructure de télécommunications
  • Systèmes informatiques embarqués

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