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15+ Dhs. 13.40 Dhs. 201.00
25+ Dhs. 13.11 Dhs. 327.75
50+ Dhs. 12.38 Dhs. 619.00
100+ Dhs. 10.93 Dhs. 1,093.00
N+ Dhs. 2.19 Price Inquiry
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Quantité
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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM
Taille de la mémoire 64 Mbits
Organisation de la mémoire 4M x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 166 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 5 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 60-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 60-MiniBGA (6,4 x 10,1)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

IS42S16400D-6BLI-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 64 Mbit

La mémoire DRAM synchrone IS42S16400D-6BLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) de 64 Mbits offre une fiabilité élevée et est conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Ce circuit intégré de mémoire à montage en surface (CMS) garantit un temps d'accès rapide de 5 ns et fonctionne à une fréquence d'horloge de 166 MHz, ce qui le rend idéal pour les systèmes embarqués nécessitant des performances robustes sur une large plage de températures.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 5 ns garantissent un traitement rapide des données.
  • Organisation flexible de la mémoire : configuration 4 Mo x 16 avec interface parallèle pour une intégration système polyvalente
  • Large plage de fonctionnement : la plage de températures de -40 °C à 85 °C (TA) permet de supporter les environnements industriels difficiles.
  • Boîtier compact : le boîtier CMS 60 MiniBGA (6,4 × 10,1 mm) permet un gain de place précieux sur la carte.
  • Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales pour une distribution mondiale
  • Tension d'alimentation fiable : un fonctionnement de 3 V à 3,6 V garantit des performances stables.

Applications

Ce circuit intégré de mémoire SDRAM est conçu pour les applications critiques, notamment les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux, les équipements de télécommunications et les systèmes informatiques embarqués, où une disponibilité à long terme et une traçabilité complète sont essentielles.

Spécifications techniques

Pourquoi choisir ce produit ?

En tant que distributeur agréé, nous fournissons des composants ISSI authentiques avec traçabilité complète, documentation de conformité (RoHS/REACH) et assistance technique. Nos options de conditionnement en vrac et notre capacité d'expédition internationale facilitent l'approvisionnement à grande échelle pour les équipes d'ingénierie et les responsables des achats.

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