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15+ Dhs. 8.07 Dhs. 121.05
25+ Dhs. 7.89 Dhs. 197.25
50+ Dhs. 7.45 Dhs. 372.50
100+ Dhs. 6.58 Dhs. 658.00
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Quantité
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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM
Taille de la mémoire 64 Mbits
Organisation de la mémoire 4M x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 166 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 5 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 54-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 54-TSOP II

IS42S16400D-6TL-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 64 Mbit

La mémoire IS42S16400D-6TL-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une DRAM synchrone haute performance de 64 Mbits conçue pour les systèmes embarqués, les contrôleurs industriels et les applications gourmandes en mémoire. Cette SDRAM dispose d'une architecture 4M x 16, d'une fréquence d'horloge de 166 MHz et d'un temps d'accès de 5 ns, garantissant des performances fiables pour les applications exigeantes.

Principales caractéristiques et avantages :

  • Capacité de 64 Mbits avec une organisation mémoire de 4M x 16 pour une conception système flexible
  • Fréquence d'horloge rapide de 166 MHz avec un temps d'accès de 5 ns pour des performances réactives
  • Large plage de tension de fonctionnement (3 V à 3,6 V) pour une compatibilité avec divers systèmes
  • Plage de températures industrielles (0 °C à 70 °C) pour un fonctionnement fiable
  • Boîtier CMS 54-TSOP II pour des circuits imprimés compacts
  • Interface parallèle pour une intégration simple dans les conceptions existantes

Applications idéales : systèmes embarqués, automatisation industrielle, équipements de réseau, télécommunications, électronique automobile et modules d’extension de mémoire.

Spécifications techniques


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