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15+ Dhs. 9.85 Dhs. 147.75
25+ Dhs. 9.64 Dhs. 241.00
50+ Dhs. 9.10 Dhs. 455.00
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Quantité
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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM
Taille de la mémoire 64 Mbits
Organisation de la mémoire 4M x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 166 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 5 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 54-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 54-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

IS42S16400D-6TLI-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 64 Mbit

La mémoire DRAM synchrone IS42S16400D-6TLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire haute fiabilité de 64 Mbits conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, du contrôle industriel, des dispositifs médicaux et des télécommunications. Cette mémoire SDRAM à montage en surface offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès ultrarapide de 5 ns, ce qui la rend idéale pour les systèmes embarqués nécessitant un traitement rapide des données et un stockage mémoire fiable.

Principales caractéristiques et avantages :

  • Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 5 ns garantissent une récupération rapide des données pour les applications critiques en termes de temps.
  • Configuration mémoire optimale : capacité de 64 Mbits organisée en 4 Mbits x 16 pour un traitement parallèle efficace des données
  • Large plage de fonctionnement : tolérance aux températures de qualité industrielle (-40 °C à 85 °C) pour les environnements difficiles
  • Alimentation fiable : la plage de tension de 3 V à 3,6 V assure un fonctionnement stable pour différentes configurations de systèmes.
  • Conception compacte : le boîtier CMS 54-TSOP II (0,400 pouce, largeur 10,16 mm) optimise l’espace sur le circuit imprimé.
  • Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Applications idéales :

Cette mémoire SDRAM volatile est parfaitement adaptée aux systèmes de contrôle de vol aérospatiaux, aux calculateurs automobiles, aux contrôleurs d'automatisation industrielle, aux équipements d'imagerie médicale, aux infrastructures de télécommunications et aux plateformes informatiques embarquées hautes performances où la fiabilité et la vitesse sont primordiales.

Spécifications techniques :

Pourquoi choisir les solutions de mémoire ISSI ?

ISSI est un leader reconnu dans le domaine des solutions de mémoire à semi-conducteurs haute fiabilité, offrant des performances éprouvées pour les applications critiques à travers le monde. La mémoire IS42S16400D-6TLI-TR est le fruit de plusieurs décennies d'excellence en ingénierie dans le domaine des technologies de mémoire.

Ressources connexes :

Découvrez notre gamme complète de solutions de mémoire à semi-conducteurs, incluant les dispositifs DRAM, SRAM, Flash et EEPROM. Consultez notre page d'accueil pour découvrir notre catalogue complet de semi-conducteurs de qualité aérospatiale, automobile et industrielle. Restez informé des dernières tendances et nouveautés produits grâce à notre blog d'actualités .