ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400D-7TI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 11.58 | Dhs. 11.58 |
| 15+ | Dhs. 11.21 | Dhs. 168.15 |
| 25+ | Dhs. 10.96 | Dhs. 274.00 |
| 50+ | Dhs. 10.35 | Dhs. 517.50 |
| 100+ | Dhs. 9.14 | Dhs. 914.00 |
| N+ | Dhs. 1.83 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de la mémoire | 64 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 4M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 143 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 5,4 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 54-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 54-TSOP II |
| RoHS |  |
IS42S16400D-7TI-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM 64 Mbit
L' IS42S16400D-7TI-TR est un circuit intégré de mémoire DRAM synchrone (SDRAM) haute performance de 64 Mbits, fabriqué par ISSI (Integrated Silicon Solution Inc). Ce composant de mémoire de qualité industrielle offre des performances fiables pour les systèmes embarqués, les équipements de télécommunications, les applications automobiles et les systèmes de contrôle industriels critiques.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 143 MHz et un temps d'accès de 5,4 ns garantissent un traitement rapide des données pour les applications exigeantes.
- Organisation flexible de la mémoire : la configuration 4 M x 16 offre un équilibre optimal entre densité et largeur d’interface.
- Large plage de fonctionnement : sa plage de températures de -40 °C à 85 °C la rend idéale pour les environnements industriels et automobiles.
- Fonctionnement sous tension standard : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V compatible avec la plupart des systèmes embarqués
- Conditionnement prêt pour la production : Format bande et bobine en boîtier 54-TSOP II pour les processus d'assemblage automatisés
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
Spécifications techniques
Applications
Ce circuit intégré de mémoire SDRAM est conçu pour être utilisé dans :
- Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
- équipement d'infrastructure de télécommunications
- Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles
- Dispositifs médicaux et équipements de diagnostic
- Plateformes informatiques embarquées
- Systèmes d'acquisition et de traitement des données
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