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Quantité
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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM
Taille de la mémoire 64 Mbits
Organisation de la mémoire 4M x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 143 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 5,4 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 54-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 54-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

IS42S16400D-7TLI-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 64 Mbit

La mémoire DRAM synchrone IS42S16400D-7TLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) de 64 Mbits offre une fiabilité élevée et est conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Ce circuit intégré de mémoire à montage en surface (CMS) offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 143 MHz et un temps d'accès de 5,4 ns, ce qui le rend idéal pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage de mémoire volatile rapide et fiable.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 143 MHz et un temps d’accès de 5,4 ns garantissent un traitement rapide des données.
  • Organisation de mémoire flexible : configuration 4 M x 16 optimisée pour les applications d’interface parallèle
  • Large plage de fonctionnement : fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C dans des environnements à température industrielle.
  • Tension standard industrielle : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour une compatibilité avec les conceptions de systèmes courantes.
  • Boîtier compact : le boîtier CMS 54-TSOP II (0,400", largeur 10,16 mm) permet un gain de place précieux sur la carte.
  • Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales en matière de fabrication sans plomb

Spécifications techniques

Applications

Ce circuit intégré de mémoire SDRAM est conçu pour les applications critiques où la fiabilité et les performances sont primordiales. Exemples d'utilisation :

  • systèmes de contrôle aérospatiaux et avioniques
  • Unités de commande électroniques automobiles (ECU) et systèmes d'infodivertissement
  • équipements d'automatisation industrielle et de contrôle des processus
  • Dispositifs de diagnostic et de surveillance médicale
  • Équipements d'infrastructure et de réseau de télécommunications
  • Plateformes informatiques embarquées à haute fiabilité

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