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Prix habituel Dhs. 355,870.06
Prix habituel Dhs. 374,600.06 Prix promotionnel Dhs. 355,870.06
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 Dhs. 355,870.06 Dhs. 355,870.06
15+ Dhs. 344,632.06 Dhs. 5,169,480.90
25+ Dhs. 337,140.05 Dhs. 8,428,501.25
50+ Dhs. 318,410.05 Dhs. 15,920,502.50
100+ Dhs. 280,950.05 Dhs. 28,095,005.00
N+ Dhs. 56,190.01 Price Inquiry
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Quantité
Component Recycling

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM
Taille de la mémoire 64 Mbits
Organisation de la mémoire 4M x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 143 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 5,4 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 54-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 54-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

IS42S16400F-7TLI-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 64 Mbit

La mémoire DRAM synchrone IS42S16400F-7TLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) de 64 Mbits offre une fiabilité élevée et est conçue pour les applications critiques des systèmes industriels, automobiles, médicaux et de télécommunications. Cette mémoire SDRAM parallèle dispose d'une organisation 4M x 16, d'une fréquence d'horloge de 143 MHz et fonctionne dans une plage de températures étendue, de -40 °C à 85 °C, ce qui la rend idéale pour les environnements difficiles.

Principales caractéristiques et avantages

  • Capacité de 64 Mbits : l’organisation de la mémoire en 4 M x 16 offre un espace de stockage suffisant pour les applications embarquées.
  • Temps d'accès rapide : un temps d'accès de 5,4 ns garantit des performances réactives dans les systèmes sensibles au temps.
  • Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V avec une plage de température industrielle (-40 °C à 85 °C)
  • Interface parallèle : l’interface SDRAM standard simplifie l’intégration dans les conceptions existantes
  • Boîtier CMS : 54-TSOP II (largeur de 10,16 mm) pour un assemblage automatisé et une optimisation de l’espace.
  • Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial

Applications

Cette mémoire SDRAM est conçue pour une utilisation à long terme dans les secteurs de l'aérospatiale, des unités de contrôle automobile, de l'automatisation industrielle, des dispositifs médicaux et des infrastructures de télécommunications, où la fiabilité et la traçabilité sont primordiales.

Spécifications techniques complètes