ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400J-5BL-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 5.73 | Dhs. 5.73 |
| 15+ | Dhs. 5.55 | Dhs. 83.25 |
| 25+ | Dhs. 5.43 | Dhs. 135.75 |
| 50+ | Dhs. 5.13 | Dhs. 256.50 |
| 100+ | Dhs. 4.52 | Dhs. 452.00 |
| N+ | Dhs. 0.90 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de la mémoire | 64 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 4M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 200 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 4,8 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 54-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 54-TFBGA (8x8) |
| RoHS |
IS42S16400J-5BL-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 64 Mbit
Le circuit intégré de mémoire SDRAM IS42S16400J-5BL-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire SDRAM 64 Mbit haut de gamme conçue pour les systèmes embarqués, les applications industrielles et les objets connectés (IoT) nécessitant des solutions de mémoire volatile fiables. Cette puce DRAM à montage en surface offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 200 MHz et un temps d'accès rapide de 4,8 ns, ce qui la rend idéale pour les applications gourmandes en données.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 200 MHz et un temps d’accès de 4,8 ns garantissent un traitement rapide des données.
- Organisation de mémoire flexible : configuration 4 M x 16 optimisée pour les applications d’interface parallèle
- Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V et température de fonctionnement de 0 °C à 70 °C
- Boîtier compact : le format 54-TFBGA (8x8) à montage en surface permet un gain de place précieux sur le circuit imprimé.
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes internationales.
- Conditionnement en bande et bobine : Prêt pour l'assemblage automatisé et la production en grande série
Spécifications techniques
Applications
Ce circuit intégré de mémoire SDRAM est parfaitement adapté pour :
- Applications des systèmes embarqués et des microcontrôleurs
- Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
- Dispositifs IoT et plateformes de calcul en périphérie
- Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles
- Équipements de réseau et de télécommunications
- Électronique grand public nécessitant une mémoire volatile rapide
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