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1 Dhs. 5.73 Dhs. 5.73
15+ Dhs. 5.55 Dhs. 83.25
25+ Dhs. 5.43 Dhs. 135.75
50+ Dhs. 5.13 Dhs. 256.50
100+ Dhs. 4.52 Dhs. 452.00
N+ Dhs. 0.90 Price Inquiry
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Quantité
Component Recycling

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM
Taille de la mémoire 64 Mbits
Organisation de la mémoire 4M x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 200 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 4,8 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 54-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 54-TFBGA (8x8)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

IS42S16400J-5BL-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 64 Mbit

Le circuit intégré de mémoire SDRAM IS42S16400J-5BL-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire SDRAM 64 Mbit haut de gamme conçue pour les systèmes embarqués, les applications industrielles et les objets connectés (IoT) nécessitant des solutions de mémoire volatile fiables. Cette puce DRAM à montage en surface offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 200 MHz et un temps d'accès rapide de 4,8 ns, ce qui la rend idéale pour les applications gourmandes en données.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 200 MHz et un temps d’accès de 4,8 ns garantissent un traitement rapide des données.
  • Organisation de mémoire flexible : configuration 4 M x 16 optimisée pour les applications d’interface parallèle
  • Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V et température de fonctionnement de 0 °C à 70 °C
  • Boîtier compact : le format 54-TFBGA (8x8) à montage en surface permet un gain de place précieux sur le circuit imprimé.
  • Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes internationales.
  • Conditionnement en bande et bobine : Prêt pour l'assemblage automatisé et la production en grande série

Spécifications techniques

Applications

Ce circuit intégré de mémoire SDRAM est parfaitement adapté pour :

  • Applications des systèmes embarqués et des microcontrôleurs
  • Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
  • Dispositifs IoT et plateformes de calcul en périphérie
  • Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles
  • Équipements de réseau et de télécommunications
  • Électronique grand public nécessitant une mémoire volatile rapide

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