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15+ Dhs. 5.51 Dhs. 82.65
25+ Dhs. 5.39 Dhs. 134.75
50+ Dhs. 5.09 Dhs. 254.50
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Quantité
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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM
Taille de la mémoire 64 Mbits
Organisation de la mémoire 4M x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 166 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 5,4 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 54-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 54-TFBGA (8x8)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

IS42S16400J-6BL-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 64 Mbit

Le circuit intégré IS42S16400J-6BL-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) est une mémoire DRAM synchrone (SDRAM) haute performance de 64 Mbits conçue pour les applications embarquées, industrielles et automobiles exigeantes. Cette solution de mémoire volatile offre des performances fiables grâce à une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès rapide de 5,4 ns, ce qui la rend idéale pour les systèmes nécessitant un traitement et un stockage rapides des données.

Principales caractéristiques et avantages

  • Capacité mémoire de 64 Mbits : organisée en 4M x 16, offrant un espace de stockage suffisant pour les systèmes embarqués et les contrôleurs.
  • Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 166 MHz et un temps d’accès de 5,4 ns garantissent une gestion des données réactive.
  • Interface parallèle : Interface mémoire parallèle standard pour une large compatibilité avec les microprocesseurs et les FPGA
  • Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V, température de fonctionnement de 0 °C à 70 °C pour une fiabilité industrielle
  • Boîtier compact : le boîtier CMS 54-TFBGA (8x8) optimise l'espace sur la carte.
  • Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales.
  • Conditionnement en bande et bobine : Prêt pour l'assemblage automatisé et la production en grande série

Applications

Ce circuit intégré de mémoire SDRAM est parfaitement adapté pour :

  • Systèmes embarqués et ordinateurs monocartes
  • équipements de contrôle et d'automatisation industriels
  • Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles
  • Dispositifs IoT et plateformes de calcul en périphérie
  • Routeurs de réseau et équipements de communication
  • Dispositifs et instruments médicaux

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Chez HQICKEY , nous sommes spécialisés dans la fourniture de composants semi-conducteurs authentiques et de haute qualité, assortis d'un support technique garanti tout au long de leur cycle de vie. Notre vaste gamme de produits de mémoire comprend des mémoires DRAM, SRAM, Flash et des solutions de mémoire spécialisées provenant de fabricants leaders. Chaque composant est approvisionné directement auprès de distributeurs agréés, garantissant ainsi son authenticité et sa disponibilité à long terme pour vos projets critiques.

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Spécifications techniques

Les spécifications peuvent être modifiées par le fabricant. Veuillez consulter la fiche technique officielle pour obtenir les informations les plus récentes.