ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400J-6TL-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 5.13 | Dhs. 5.13 |
| 15+ | Dhs. 4.96 | Dhs. 74.40 |
| 25+ | Dhs. 4.85 | Dhs. 121.25 |
| 50+ | Dhs. 4.58 | Dhs. 229.00 |
| 100+ | Dhs. 4.04 | Dhs. 404.00 |
| N+ | Dhs. 0.81 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de la mémoire | 64 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 4M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 166 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 5,4 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 54-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 54-TSOP II |
| RoHS |  |
IS42S16400J-6TL-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 64 Mbit
La puce IS42S16400J-6TL-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une DRAM synchrone haute performance de 64 Mbits conçue pour les applications embarquées, industrielles et automobiles exigeantes. Ce circuit intégré de mémoire volatile présente une architecture 4M x 16 avec interface parallèle, garantissant un stockage de données fiable et des temps d'accès rapides pour les systèmes critiques.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 5,4 ns garantissent un traitement rapide des données.
- Alimentation flexible : fonctionne de 3 V à 3,6 V, compatible avec une large gamme de systèmes
- Plage de températures industrielles : Conçue pour des températures de 0 °C à 70 °C (TA), adaptée aux environnements difficiles.
- Boîtier compact : boîtier de montage en surface 54-TSOP II (0,400", largeur 10,16 mm)
- Approvisionnement authentique : conforme à la norme RoHS avec assistance garantie tout au long du cycle de vie
Spécifications techniques
Applications
Ce circuit intégré SDRAM est conçu pour les applications exigeant une mémoire volatile rapide et fiable, notamment les systèmes embarqués, les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, les équipements réseau et les objets connectés. Son interface parallèle et sa vitesse de fonctionnement élevée le rendent idéal pour la mise en mémoire tampon des données, la mémoire cache et les tâches de traitement en temps réel.
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