ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400J-6TLI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 5.66 | Dhs. 5.66 |
| 15+ | Dhs. 5.48 | Dhs. 82.20 |
| 25+ | Dhs. 5.36 | Dhs. 134.00 |
| 50+ | Dhs. 5.07 | Dhs. 253.50 |
| 100+ | Dhs. 4.47 | Dhs. 447.00 |
| N+ | Dhs. 0.89 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de la mémoire | 64 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 4M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 166 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 5,4 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 54-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 54-TSOP II |
| RoHS |  |
L' IS42S16400J-6TLI-TR est un circuit intégré de mémoire SDRAM 64 Mbit haute performance d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc), conçu pour les applications embarquées, industrielles, automobiles et IoT nécessitant des solutions de mémoire volatile fiables.
Cette mémoire SDRAM 4M x 16, dotée d'une interface parallèle, fonctionne à une fréquence d'horloge de 166 MHz et offre un temps d'accès rapide de 5,4 ns. Alimentée sous une tension de 3 V à 3,6 V, elle est conçue pour des températures de fonctionnement industrielles comprises entre -40 °C et 85 °C, ce qui la rend idéale pour les environnements exigeants.
Conditionné en boîtier CMS 54-TSOP II compact, le composant IS42S16400J-6TLI-TR est livré en bande et bobine pour les processus d'assemblage automatisés. Ce composant authentique bénéficie de notre garantie de cycle de vie et de notre assurance qualité.
Principales caractéristiques et avantages
- Capacité de 64 Mbits avec une organisation 4M x 16 pour une conception système flexible
- Fonctionnement à haute vitesse de 166 MHz avec un temps d'accès de 5,4 ns
- Large plage de tension de fonctionnement (3 V - 3,6 V) pour une meilleure compatibilité
- Plage de température industrielle (-40 °C à 85 °C) pour environnements difficiles
- Conforme à la directive RoHS pour le respect de l'environnement
- Boîtier CMS 54-TSOP II pour des circuits imprimés compacts
- Conditionnement en bande et bobine pour la fabrication automatisée
Applications
Cette mémoire SDRAM est idéale pour les systèmes embarqués, les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, les équipements de réseau, les dispositifs médicaux et les applications IoT nécessitant une mémoire volatile fiable et rapide.
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