ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400J-7BLI
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 6.78 | Dhs. 6.78 |
| 15+ | Dhs. 6.55 | Dhs. 98.25 |
| 25+ | Dhs. 6.41 | Dhs. 160.25 |
| 50+ | Dhs. 6.05 | Dhs. 302.50 |
| 100+ | Dhs. 5.34 | Dhs. 534.00 |
| N+ | Dhs. 1.07 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Plateau | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de la mémoire | 64 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 4M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 143 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 5,4 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 54-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 54-TFBGA (8x8) |
| RoHS |  |
L' IS42S16400J-7BLI est un circuit intégré de mémoire DRAM synchrone (SDRAM) haute performance de 64 Mbit fabriqué par ISSI (Integrated Silicon Solution Inc), conçu pour les applications exigeantes des systèmes industriels, automobiles et embarqués nécessitant des solutions de mémoire fiables et rapides.
Principales caractéristiques et avantages :
- Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 143 MHz et un temps d'accès de 5,4 ns garantissent un traitement rapide des données pour les applications critiques en termes de temps.
- Configuration mémoire optimale : l’organisation 4 M x 16 offre une architecture mémoire flexible pour diverses conceptions de systèmes.
- Fiabilité de niveau industriel : une plage de températures de fonctionnement étendue (-40 °C à 85 °C) garantit des performances stables même dans des environnements difficiles.
- Conception compacte pour montage en surface : le boîtier 54-TFBGA (8x8) optimise l’espace sur la carte.
- Compatibilité étendue avec les tensions d'alimentation : la plage de tension d'alimentation de 3 V à 3,6 V offre une grande flexibilité de conception.
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales.
Spécifications techniques :
Applications :
Ce circuit intégré SDRAM est idéal pour les systèmes d'automatisation industrielle, l'électronique automobile, les appareils IoT, les plateformes informatiques embarquées, les équipements de télécommunications et autres applications nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable avec un fonctionnement à température étendue.
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