ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400N-6BL-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 5.36 | Dhs. 5.36 |
| 15+ | Dhs. 5.17 | Dhs. 77.55 |
| 25+ | Dhs. 5.06 | Dhs. 126.50 |
| 50+ | Dhs. 4.78 | Dhs. 239.00 |
| 100+ | Dhs. 4.22 | Dhs. 422.00 |
| N+ | Dhs. 0.84 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de la mémoire | 64 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 4M x 16 |
| Interface mémoire | LVTTL |
| Fréquence d'horloge | 166 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 5,4 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 54-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 54-TFBGA (8x8) |
IS42S16400N-6BL-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 64 Mbit
Le circuit intégré de mémoire DRAM synchrone (SDRAM) IS42S16400N-6BL-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) de 64 Mbits est un composant mémoire haut de gamme conçu pour les applications embarquées, industrielles, automobiles et IoT exigeantes. Ce composant mémoire haute fiabilité offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 5,4 ns, ce qui le rend idéal pour les systèmes nécessitant un traitement des données rapide et efficace.
Principales caractéristiques et avantages
- Capacité mémoire de 64 Mbits : l’organisation 4M x 16 offre un espace de stockage suffisant pour les applications embarquées.
- Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 166 MHz avec un temps d'accès de 5,4 ns garantit un accès rapide aux données.
- Interface LVTTL : Interface TTL basse tension pour un fonctionnement écoénergétique
- Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V, température de fonctionnement de 0 °C à 70 °C
- Boîtier compact pour montage en surface : boîtier 54-TFBGA (8x8) optimisé pour les conceptions à espace restreint
- Conditionnement en bande et bobine : Prêt pour l'assemblage automatisé et la production en grande série
Applications
Ce circuit intégré de mémoire SDRAM est parfaitement adapté pour :
- Systèmes embarqués et conceptions à base de microcontrôleurs
- Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
- Électronique automobile et infodivertissement
- Dispositifs IoT et plateformes de calcul en périphérie
- Équipements de réseau et de télécommunications
- Dispositifs et instruments médicaux
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Nous comprenons l'importance cruciale de l'authenticité et de la disponibilité à long terme des composants pour vos projets. Chaque circuit intégré que nous fournissons provient directement de distributeurs et fabricants agréés, vous garantissant ainsi des composants authentiques, une traçabilité complète et une prise en charge sous garantie.
Spécifications techniques
Documentation et assistance
Pour des informations techniques détaillées, des directives de conception et des notes d'application, consultez notre blog technique et notre section actualités où nous publions régulièrement des analyses sur les semi-conducteurs, des conseils de conception et des mises à jour du secteur pour aider les ingénieurs à prendre des décisions éclairées en matière de sélection de composants.
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