ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400N-6TL

IS42S16400N-6TL - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 64 Mbit

Le circuit intégré de mémoire SDRAM 64 Mbit IS42S16400N-6TL d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est un composant haut de gamme conçu pour les applications embarquées, industrielles et automobiles exigeantes. Ce composant mémoire haute fiabilité offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès ultra-rapide de 5,4 ns, ce qui le rend idéal pour les systèmes nécessitant un traitement rapide des données et un stockage de mémoire volatile fiable.

Principales caractéristiques et avantages

• Capacité mémoire de 64 Mbits : l’organisation 4M x 16 offre un espace de stockage suffisant pour les exigences des systèmes embarqués.
• Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 166 MHz et un temps d’accès de 5,4 ns garantissent un débit de données rapide.
• Interface LVTTL : Compatibilité TTL basse tension pour une consommation d’énergie réduite et une large intégration système
• Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V, température de fonctionnement de 0 °C à 70 °C pour une fiabilité industrielle
• Conception pour montage en surface : boîtier 54-TSOP II optimisé pour l’assemblage automatisé et les agencements de circuits imprimés à espace restreint.
• Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales.

Spécifications techniques

Applications et cas d'utilisation

Ce circuit intégré SDRAM est parfaitement adapté pour :

• Systèmes informatiques embarqués et conceptions à base de microcontrôleurs
• Équipements d'automatisation et de contrôle industriels
• Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles
• Dispositifs IoT nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable
• Équipements de réseau et infrastructure de télécommunications
• Dispositifs et instruments médicaux

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