ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400N-6TL-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 4.65 | Dhs. 4.65 |
| 15+ | Dhs. 4.48 | Dhs. 67.20 |
| 25+ | Dhs. 4.38 | Dhs. 109.50 |
| 50+ | Dhs. 4.14 | Dhs. 207.00 |
| 100+ | Dhs. 3.65 | Dhs. 365.00 |
| N+ | Dhs. 0.73 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de la mémoire | 64 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 4M x 16 |
| Interface mémoire | LVTTL |
| Fréquence d'horloge | 166 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 5,4 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 54-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 54-TSOP II |
IS42S16400N-6TL-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 64 Mbit
La DRAM synchrone IS42S16400N-6TL-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une DRAM haute fiabilité de 64 Mbit conçue pour les systèmes embarqués, l'automatisation industrielle et les applications gourmandes en mémoire nécessitant un accès rapide aux données et des performances stables.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 5,4 ns garantissent une récupération rapide des données pour les applications critiques en termes de temps.
- Organisation flexible de la mémoire : configuration 4M x 16 optimisée pour les architectures de bus de données 16 bits
- Interface standard de l'industrie : l'interface compatible LVTTL simplifie l'intégration avec les microcontrôleurs, les FPGA et les processeurs.
- Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V et température de fonctionnement de 0 °C à 70 °C pour les environnements industriels.
- Boîtier compact : boîtier CMS 54-TSOP II (0,400", largeur 10,16 mm) idéal pour les circuits imprimés compacts.
- Prêt pour la production : Conditionnement en bande et bobine pour l'assemblage automatisé et la fabrication en grande série
Applications typiques
Ce circuit intégré de mémoire SDRAM est idéal pour l'informatique embarquée, les systèmes de contrôle industriels, les équipements de télécommunications, l'électronique automobile, les dispositifs de réseau et les systèmes d'acquisition de données où un stockage de mémoire volatile fiable est essentiel.
Spécifications techniques
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