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Quantité
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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Plateau |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM
Taille de la mémoire 64 Mbits
Organisation de la mémoire 4M x 16
Interface mémoire LVTTL
Fréquence d'horloge 166 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 5,4 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 54-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 54-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

IS42S16400N-6TLI - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 64 Mbit

La puce IS42S16400N-6TLI d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) est une DRAM synchrone haute performance de 64 Mbits conçue pour les systèmes embarqués et les applications industrielles exigeant des solutions de mémoire rapides et fiables. Ce circuit intégré SDRAM présente une architecture 4M x 16 avec interface LVTTL, fonctionnant à une fréquence d'horloge de 166 MHz et offrant un temps d'accès de 5,4 ns.

Conçu pour les environnements exigeants, ce circuit intégré de mémoire fonctionne sur une large plage de températures, de -40 °C à 85 °C, ce qui le rend idéal pour les systèmes de contrôle industriel, l'électronique automobile, les équipements de télécommunications et les plateformes informatiques embarquées. Son boîtier CMS 54-TSOP II garantit une intégration fiable sur circuit imprimé et d'excellentes performances thermiques.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 166 MHz avec un temps d’accès de 5,4 ns pour un fonctionnement système réactif.
  • Organisation flexible : capacité de 64 Mbits dans une configuration 4M x 16 optimisée pour les architectures de bus de données 16 bits
  • Plage de températures industrielles : un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit une fiabilité optimale même dans des environnements difficiles.
  • Interface LVTTL standard : intégration facile avec les microcontrôleurs et processeurs courants
  • Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour des conceptions économes en énergie
  • Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales.
  • Boîtier CMS : format 54-TSOP II pour un assemblage automatisé et des agencements compacts

Applications

Cette mémoire SDRAM est parfaitement adaptée aux systèmes embarqués, aux contrôleurs d'automatisation industrielle, aux équipements de réseau, aux systèmes d'infodivertissement automobiles, aux dispositifs médicaux, aux instruments de test et de mesure, et à toute application nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable avec une longue durée de vie.

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Spécifications techniques

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