ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400N-6TLI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 7.01 | Dhs. 7.01 |
| 15+ | Dhs. 6.79 | Dhs. 101.85 |
| 25+ | Dhs. 6.64 | Dhs. 166.00 |
| 50+ | Dhs. 6.27 | Dhs. 313.50 |
| 100+ | Dhs. 5.54 | Dhs. 554.00 |
| N+ | Dhs. 1.11 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de la mémoire | 64 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 4M x 16 |
| Interface mémoire | LVTTL |
| Fréquence d'horloge | 166 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 5,4 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 54-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 54-TSOP II |
IS42S16400N-6TLI-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 64 Mbit
La mémoire DRAM synchrone IS42S16400N-6TLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) de 64 Mbits offre une fiabilité élevée et est conçue pour les applications embarquées exigeantes nécessitant des solutions de mémoire volatile rapides et performantes. Cette SDRAM dispose d'une organisation mémoire 4M x 16, d'une fréquence d'horloge de 166 MHz et d'un temps d'accès ultrarapide de 5,4 ns, ce qui la rend idéale pour l'automatisation industrielle, les systèmes automobiles, les équipements de télécommunications et les plateformes informatiques embarquées.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 5,4 ns garantissent un débit de données rapide pour les applications critiques en termes de temps.
- Configuration mémoire optimale : une capacité de 64 Mbits organisée en 4 M x 16 offre une gestion flexible des données pour les systèmes embarqués.
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C (TA), idéal pour les environnements difficiles.
- Fonctionnement à basse tension : une tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V réduit la consommation d’énergie tout en maintenant les performances.
- Interface LVTTL : L’interface standard de l’industrie assure une intégration transparente avec les conceptions existantes
- Boîtier CMS : le boîtier 54-TSOP II (0,400 pouce, largeur 10,16 mm) permet des agencements de circuits imprimés compacts et un assemblage automatisé.
- Conditionnement prêt pour la production : le format bande et bobine simplifie les processus de fabrication à grand volume
Applications
Ce circuit intégré de mémoire SDRAM est conçu pour les applications exigeant une mémoire volatile fiable et à haute vitesse, notamment les contrôleurs industriels, les calculateurs automobiles, les équipements de réseau, les dispositifs médicaux, les systèmes de point de vente et les modules informatiques embarqués où l'intégrité des données et les performances sont essentielles.
Spécifications techniques
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