ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400N-7BL
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 5.84 | Dhs. 5.84 |
| 15+ | Dhs. 5.65 | Dhs. 84.75 |
| 25+ | Dhs. 5.53 | Dhs. 138.25 |
| 50+ | Dhs. 5.22 | Dhs. 261.00 |
| 100+ | Dhs. 4.61 | Dhs. 461.00 |
| N+ | Dhs. 0.92 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Plateau | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de la mémoire | 64 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 4M x 16 |
| Interface mémoire | LVTTL |
| Fréquence d'horloge | 143 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 5,4 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 54-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 54-TFBGA (8x8) |
IS42S16400N-7BL - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 64 Mbit
Le circuit intégré de mémoire SDRAM 64 Mbit IS42S16400N-7BL d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est un dispositif haute fiabilité conçu pour les applications embarquées, industrielles et automobiles exigeantes. Cette mémoire DRAM volatile dispose d'une organisation 4M x 16 avec interface LVTTL, offrant un temps d'accès rapide de 5,4 ns et une fréquence d'horloge de 143 MHz. Fonctionnant sous une tension d'alimentation de 3 V à 3,6 V et dans une plage de températures de 0 °C à 70 °C, ce boîtier TFBGA 54 broches pour montage en surface offre des performances exceptionnelles pour les systèmes à forte consommation de mémoire nécessitant des composants semi-conducteurs authentiques et à longue durée de vie.
Spécifications techniques
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 143 MHz avec un temps d’accès de 5,4 ns pour un traitement rapide des données
- Organisation de la mémoire fiable : capacité de 64 Mbits en configuration 4 M x 16
- Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V, plage de température de 0 °C à 70 °C
- Interface standard du secteur : interface LVTTL pour une intégration transparente
- Boîtier compact : conception à montage en surface 54-TFBGA (8x8) pour des agencements de circuits imprimés peu encombrants
- Qualité ISSI authentique : Composants d’origine avec assistance et traçabilité tout au long du cycle de vie
Applications
Ce circuit intégré de mémoire SDRAM est idéal pour les systèmes embarqués, les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, les appareils IoT, les équipements de réseau et autres applications nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable avec une disponibilité à long terme éprouvée.
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