ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800F-5TLI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 11.95 | Dhs. 11.95 |
| 15+ | Dhs. 11.58 | Dhs. 173.70 |
| 25+ | Dhs. 11.33 | Dhs. 283.25 |
| 50+ | Dhs. 10.70 | Dhs. 535.00 |
| 100+ | Dhs. 9.44 | Dhs. 944.00 |
| N+ | Dhs. 1.89 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de la mémoire | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 8M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 200 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 5 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 54-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 54-TSOP II |
| RoHS |  |
IS42S16800F-5TLI-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 128 Mbit
La mémoire DRAM synchrone IS42S16800F-5TLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) de 128 Mbits offre une fiabilité élevée et est conçue pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Ce composant SDRAM à montage en surface offre des performances exceptionnelles grâce à sa fréquence d'horloge de 200 MHz et son temps d'accès ultrarapide de 5 ns, ce qui la rend idéale pour les systèmes embarqués exigeant un traitement rapide des données et une grande fiabilité d'accès à la mémoire.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 200 MHz et un temps d'accès de 5 ns garantissent un débit de données rapide pour les applications critiques en temps réel.
- Configuration mémoire optimale : une capacité de 128 Mbits avec une organisation de 8 M x 16 offre une architecture mémoire flexible pour répondre à divers besoins système.
- Plage de températures étendue : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C (TA), idéal pour les environnements industriels et automobiles difficiles.
- Interface standard du secteur : l’interface mémoire parallèle assure une intégration transparente avec les architectures système existantes.
- Boîtier compact pour montage en surface : le boîtier 54-TSOP II (0,400 pouce, largeur de 10,16 mm) permet des agencements de circuits imprimés peu encombrants.
- Large plage de tension : la tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V offre une grande flexibilité de conception et une excellente compatibilité.
- Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
Applications
Cette mémoire SDRAM est conçue pour les applications exigeantes, notamment les contrôleurs embarqués, les systèmes d'automatisation industrielle, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux, les équipements de télécommunications et les plateformes informatiques à haute fiabilité où l'intégrité des données et des performances constantes sont primordiales.
Spécifications techniques
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