ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800F-6BL

IS42S16800F-6BL - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 128 Mbit

Le circuit intégré IS42S16800F-6BL d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) est une mémoire DRAM synchrone (SDRAM) haute performance de 128 Mbits conçue pour les applications embarquées et industrielles exigeantes. Grâce à son architecture 8M x 16 et sa fréquence d'horloge de 166 MHz, cette mémoire volatile offre un temps d'accès rapide de 5,4 ns, répondant ainsi aux besoins de traitement de données à haute vitesse.

Principales caractéristiques et avantages

• Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 5,4 ns garantissent un débit de données rapide pour les applications critiques en termes de temps.
• Organisation flexible de la mémoire : la configuration 8 M x 16 offre un équilibre optimal entre densité et largeur d’interface.
• Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V et plage de température de fonctionnement de 0 °C à 70 °C
• Boîtier compact pour montage en surface : son format 54-TFBGA (8 x 8 mm) permet un gain de place précieux sur le circuit imprimé.
• Interface parallèle : une interface mémoire parallèle standard simplifie l’intégration dans les conceptions existantes.
• Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial

Applications typiques

Ce circuit intégré de mémoire SDRAM est idéal pour les systèmes embarqués, les contrôleurs d'automatisation industrielle, les équipements de télécommunications, les dispositifs de réseau, l'électronique automobile, l'instrumentation médicale et les systèmes d'acquisition de données à haute vitesse nécessitant une mémoire volatile fiable avec des temps d'accès rapides.

Spécifications techniques

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