ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800F-6BL-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 7.49 | Dhs. 7.49 |
| 15+ | Dhs. 7.27 | Dhs. 109.05 |
| 25+ | Dhs. 7.11 | Dhs. 177.75 |
| 50+ | Dhs. 6.72 | Dhs. 336.00 |
| 100+ | Dhs. 5.93 | Dhs. 593.00 |
| N+ | Dhs. 1.19 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de la mémoire | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 8 m x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 166 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 5,4 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 54-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 54-TFBGA (8x8) |
| RoHS |
IS42S16800F-6BL-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 128 Mbit
La mémoire IS42S16800F-6BL-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une DRAM synchrone haute performance de 128 Mbit conçue pour les applications embarquées et industrielles exigeant des solutions de mémoire fiables et rapides. Cette SDRAM dispose d'une organisation 8M x 16, d'une fréquence d'horloge de 166 MHz et d'un temps d'accès de 5,4 ns, ce qui la rend idéale pour les systèmes embarqués à forte intensité de données, les contrôleurs industriels, les équipements réseau et l'électronique automobile.
Principales caractéristiques et avantages
- Capacité de 128 Mbit : l'organisation de la mémoire en 8 Mo x 16 offre un espace de stockage suffisant pour les applications embarquées.
- Performances rapides : une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 5,4 ns garantissent un traitement rapide des données.
- Boîtier compact 54-TFBGA : conception à montage en surface de 8 x 8 mm peu encombrante pour les circuits imprimés haute densité
- Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V, température de fonctionnement de 0 °C à 70 °C
- Interface parallèle : interface SDRAM standard pour une intégration facile dans les conceptions existantes
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales.
- Conditionnement en bande et bobine : emballage prêt à l’emploi pour les processus d’assemblage automatisés
Applications
Cette mémoire SDRAM est parfaitement adaptée aux systèmes embarqués industriels, aux équipements de réseau et de télécommunications, aux systèmes d'infodivertissement automobiles, aux dispositifs médicaux, aux instruments de test et de mesure, et à l'électronique grand public nécessitant une mémoire volatile fiable.
Pourquoi choisir HQICKEY ?
Chez HQICKEY, nous garantissons l'authenticité de nos composants ISSI et leur traçabilité complète. Chaque puce IS42S16800F-6BL-TR provient directement de distributeurs agréés et fait l'objet de contrôles qualité rigoureux. Nous assurons une disponibilité à long terme, un support technique dédié et une livraison internationale pour répondre à vos besoins de production.
Spécifications techniques
Produits et ressources connexes
Découvrez notre gamme complète de circuits intégrés de mémoire, incluant des solutions DRAM, SRAM, Flash et EEPROM pour vos projets embarqués. Consultez notre page d'accueil pour découvrir notre catalogue complet de composants semi-conducteurs authentiques. Pour des analyses techniques, des notes d'application et les dernières actualités du secteur, consultez notre blog technique .

IS42S16800F-6BL-TR.pdf