ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800F-6TL-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 7.31 | Dhs. 7.31 |
| 15+ | Dhs. 7.07 | Dhs. 106.05 |
| 25+ | Dhs. 6.91 | Dhs. 172.75 |
| 50+ | Dhs. 6.53 | Dhs. 326.50 |
| 100+ | Dhs. 5.76 | Dhs. 576.00 |
| N+ | Dhs. 1.15 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de la mémoire | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 8M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 166 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 5,4 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 54-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 54-TSOP II |
| RoHS |  |
IS42S16800F-6TL-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 128 Mbit
La puce IS42S16800F-6TL-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) est une DRAM synchrone haute performance de 128 Mbits conçue pour les systèmes embarqués et les applications industrielles exigeant des solutions de mémoire fiables et rapides. Ce circuit intégré SDRAM dispose d'une organisation mémoire 8M x 16, d'une fréquence d'horloge de 166 MHz et d'un temps d'accès de 5,4 ns, ce qui la rend idéale pour les applications à forte intensité de données dans les télécommunications, les équipements de réseau, les contrôleurs industriels et les plateformes informatiques embarquées.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 166 MHz et un temps d’accès de 5,4 ns garantissent un traitement rapide des données.
- Configuration mémoire optimale : capacité de 128 Mbits avec une organisation de 8 M x 16 pour une conception système flexible
- Interface standard de l'industrie : interface mémoire parallèle pour une intégration transparente
- Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V, température de fonctionnement de 0 °C à 70 °C
- Boîtier compact : boîtier de montage en surface 54-TSOP II (0,400", largeur 10,16 mm)
- Prêt pour la production : Disponible en emballage bande et bobine pour assemblage automatisé
- Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial
Applications
Ce circuit intégré SDRAM est parfaitement adapté pour :
- Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
- Équipements de réseau et de télécommunications
- Plateformes informatiques embarquées
- Systèmes d'acquisition de données
- Instrumentation médicale
- électronique automobile
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