ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800J-6BLI
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 10.60 | Dhs. 10.60 |
| 15+ | Dhs. 10.27 | Dhs. 154.05 |
| 25+ | Dhs. 10.04 | Dhs. 251.00 |
| 50+ | Dhs. 9.49 | Dhs. 474.50 |
| 100+ | Dhs. 8.37 | Dhs. 837.00 |
| N+ | Dhs. 1.67 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Plateau | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de la mémoire | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 8 m x 16 |
| Interface mémoire | LVTTL |
| Fréquence d'horloge | 166 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 5,4 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 54-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 54-TFBGA (8x8) |
| RoHS |
IS42S16800J-6BLI - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 128 Mbit
Le circuit intégré de mémoire SDRAM IS42S16800J-6BLI d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) est une mémoire SDRAM 128 Mbit haute fiabilité conçue pour les applications industrielles, automobiles et de télécommunications exigeantes. Cette puce DRAM volatile dispose d'une organisation mémoire 8M x 16 avec interface LVTTL, offrant des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès rapide de 5,4 ns.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 5,4 ns garantissent un traitement rapide des données.
- Large plage de températures de fonctionnement : fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C, idéal pour les environnements industriels difficiles.
- Alimentation flexible : la plage de tension de 3 V à 3,6 V offre une grande flexibilité de conception.
- Montage en surface compact : le boîtier 54-TFBGA (8x8) optimise l'utilisation de l'espace sur la carte
- Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales
Spécifications techniques
Applications
Ce circuit intégré de mémoire SDRAM est parfaitement adapté pour :
- Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
- Électronique automobile et infodivertissement
- équipement d'infrastructure de télécommunications
- Dispositifs médicaux nécessitant une mémoire fiable
- applications aérospatiales et de défense
- Systèmes embarqués hautes performances
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