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25+ Dhs. 10.35 Dhs. 258.75
50+ Dhs. 9.78 Dhs. 489.00
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Quantité
Component Recycling

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Plateau |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM
Taille de la mémoire 128 Mbit
Organisation de la mémoire 8 m x 16
Interface mémoire LVTTL
Fréquence d'horloge 166 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 5,4 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 54-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 54-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

IS42S16800J-6TLI - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 128 Mbit

La mémoire DRAM synchrone IS42S16800J-6TLI d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) de 128 Mbits offre une fiabilité élevée et est conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Ce circuit intégré de mémoire à montage en surface (CMS) offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 5,4 ns, ce qui le rend idéal pour les systèmes nécessitant un stockage et une récupération de données rapides et fiables.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 5,4 ns garantissent un traitement rapide des données.
  • Organisation flexible de la mémoire : configuration 8 M x 16 optimisée pour diverses architectures système
  • Large plage de fonctionnement : fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C, idéal pour les environnements industriels difficiles.
  • Interface standard du secteur : interface LVTTL pour une intégration transparente avec les systèmes existants
  • Alimentation robuste : fonctionne avec une tension d'alimentation de 3 V à 3,6 V pour une efficacité énergétique optimale.
  • Boîtier compact pour montage en surface : le boîtier 54-TSOP II permet de gagner un espace précieux sur la carte.

Spécifications techniques

Applications

Ce circuit intégré de mémoire SDRAM haut de gamme est conçu pour les applications critiques où la fiabilité et les performances sont primordiales. Il est couramment utilisé dans les systèmes embarqués, les équipements de contrôle industriel, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux, les infrastructures de télécommunications et l'instrumentation aérospatiale.

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