ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800J-7BLI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 9.82 | Dhs. 9.82 |
| 15+ | Dhs. 9.51 | Dhs. 142.65 |
| 25+ | Dhs. 9.31 | Dhs. 232.75 |
| 50+ | Dhs. 8.79 | Dhs. 439.50 |
| 100+ | Dhs. 7.76 | Dhs. 776.00 |
| N+ | Dhs. 1.55 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de la mémoire | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 8 m x 16 |
| Interface mémoire | LVTTL |
| Fréquence d'horloge | 143 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 5,4 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 54-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 54-TFBGA (8x8) |
IS42S16800J-7BLI-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 128 Mbit
La mémoire DRAM synchrone IS42S16800J-7BLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) de 128 Mbits offre une fiabilité élevée et est conçue pour les applications embarquées exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Ce circuit intégré de mémoire à montage en surface (CMS) offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 143 MHz et un temps d'accès de 5,4 ns, ce qui le rend idéal pour les systèmes à microcontrôleur nécessitant un stockage de mémoire volatile rapide et fiable.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 143 MHz et un temps d'accès de 5,4 ns garantissent un traitement rapide des données pour les applications critiques en termes de temps.
- Organisation optimale de la mémoire : la configuration 8 M x 16 offre une flexibilité d’adressage mémoire pour diverses architectures système.
- Large plage de fonctionnement : la plage de températures de -40 °C à 85 °C convient aux environnements industriels et automobiles.
- Interface standard de l'industrie : l'interface LVTTL assure une intégration transparente avec les systèmes embarqués existants.
- Boîtier compact : le boîtier CMS 54-TFBGA (8 x 8 mm) optimise l'utilisation de l'espace sur la carte.
- Alimentation fiable : tension de fonctionnement de 3 V à 3,6 V compatible avec les rails d’alimentation standard des systèmes embarqués.
Spécifications techniques
Applications
Ce circuit intégré de mémoire SDRAM est conçu pour les systèmes embarqués critiques nécessitant une mémoire volatile haute vitesse et une fiabilité éprouvée. Applications courantes :
- systèmes de contrôle de vol et avioniques aérospatiaux
- Unités de commande de moteur automobile (ECU) et plateformes ADAS
- Contrôleurs d'automatisation industrielle et automates programmables
- Systèmes d'équipements de diagnostic médical et de surveillance des patients
- Infrastructure de télécommunications et équipements de réseau
- Mémoire tampon haute performance pour FPGA et microcontrôleur
Pourquoi choisir les solutions de mémoire ISSI ?
Depuis plus de trente ans, ISSI s'est imposée comme un fournisseur de confiance de solutions de mémoire semi-conductrice haute fiabilité. L'IS42S16800J-7BLI-TR illustre parfaitement l'engagement d'ISSI envers la qualité, offrant des performances constantes sur une large plage de températures et dans des conditions d'utilisation rigoureuses. Conditionné en bande et bobine, ce composant est optimisé pour les processus d'assemblage automatisés dans les environnements de production à grand volume.
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