ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800J-7TL-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 6.37 | Dhs. 6.37 |
| 15+ | Dhs. 6.17 | Dhs. 92.55 |
| 25+ | Dhs. 6.04 | Dhs. 151.00 |
| 50+ | Dhs. 5.70 | Dhs. 285.00 |
| 100+ | Dhs. 5.03 | Dhs. 503.00 |
| N+ | Dhs. 1.01 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de la mémoire | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 8 m x 16 |
| Interface mémoire | LVTTL |
| Fréquence d'horloge | 143 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 5,4 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 54-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 54-TSOP II |
IS42S16800J-7TL-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM 128 Mbit
L' IS42S16800J-7TL-TR est une mémoire vive dynamique synchrone (SDRAM) haute performance de 128 Mbits fabriquée par ISSI (Integrated Silicon Solution Inc). Ce circuit intégré de mémoire de qualité industrielle présente une organisation de 8 Mbits x 16 et fonctionne à une fréquence d'horloge de 143 MHz, ce qui le rend idéal pour les systèmes embarqués, les applications automobiles, les objets connectés et les systèmes de contrôle industriels exigeant des solutions de mémoire fiables et rapides.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 143 MHz et un temps d’accès de 5,4 ns garantissent un traitement rapide des données.
- Configuration mémoire optimale : capacité de 128 Mbits avec une organisation de 8 M x 16 pour une conception système flexible
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C pour les environnements exigeants.
- Faible consommation d'énergie : tension d'alimentation de 3 V à 3,6 V pour un fonctionnement écoénergétique
- Conception pour montage en surface : boîtier 54-TSOP II pour l’assemblage automatisé et les agencements de circuits imprimés compacts.
- Composants authentiques : pièces ISSI 100 % authentiques avec traçabilité complète et assistance tout au long du cycle de vie
Spécifications techniques
Applications
Ce circuit intégré de mémoire SDRAM est parfaitement adapté pour :
- Systèmes informatiques embarqués et ordinateurs monocartes
- Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles
- Équipements d'automatisation et de contrôle industriels
- Dispositifs IoT et capteurs intelligents
- Équipements de réseau et de télécommunications
- Dispositifs et instruments médicaux
- Électronique grand public nécessitant une mémoire fiable
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