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15+ Dhs. 15.68 Dhs. 235.20
25+ Dhs. 15.34 Dhs. 383.50
50+ Dhs. 14.48 Dhs. 724.00
100+ Dhs. 12.78 Dhs. 1,278.00
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Quantité
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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM
Taille de la mémoire 64 Mbits
Organisation de la mémoire 2M x 32
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 183 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 5 ns
Tension - Alimentation 3,15 V ~ 3,45 V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 86-TFSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 86-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

IS42S32200C1-55T-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 64 Mbit

La mémoire DRAM synchrone IS42S32200C1-55T-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire haute performance de 64 Mbits conçue pour les applications embarquées exigeantes nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable. Grâce à son architecture 2M x 32 et son interface parallèle, cette SDRAM offre des performances exceptionnelles pour les applications industrielles, de télécommunications, automobiles et médicales.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 183 MHz et un temps d'accès de 5 ns garantissent un traitement rapide des données.
  • Organisation flexible de la mémoire : configuration 2 M x 32 optimisée pour les architectures de bus de données 32 bits
  • Interface standard de l'industrie : Interface parallèle compatible avec la plupart des microcontrôleurs et processeurs
  • Fonctionnement fiable : plage de tension d'alimentation de 3,15 V à 3,45 V avec des performances stables sur une plage de températures de fonctionnement de 0 °C à 70 °C.
  • Conception compacte : Boîtier CMS 86-TSOP II (0,400", largeur 10,16 mm) idéal pour les circuits imprimés compacts.
  • Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes internationales relatives aux restrictions sur les substances dangereuses.
  • Conditionnement pratique : disponible en bande et bobine pour les processus d’assemblage automatisés

Applications

Cette mémoire SDRAM est parfaitement adaptée pour :

  • Systèmes embarqués et contrôleurs industriels
  • Équipements de télécommunications et dispositifs de réseau
  • Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles
  • Instrumentation médicale et équipement de diagnostic
  • Systèmes d'acquisition de données
  • Applications de calcul haute performance

Spécifications techniques complètes

Pourquoi choisir les solutions de mémoire ISSI ?

ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) est un fabricant reconnu de circuits intégrés de mémoire haute performance, fort de plusieurs décennies d'expérience dans l'industrie des semi-conducteurs. Ses produits sont réputés pour leur fiabilité, leur qualité et leur support technique à long terme, des atouts essentiels pour les applications industrielles et critiques.

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