ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200C1-6TL-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 13.04 | Dhs. 13.04 |
| 15+ | Dhs. 12.61 | Dhs. 189.15 |
| 25+ | Dhs. 12.34 | Dhs. 308.50 |
| 50+ | Dhs. 11.65 | Dhs. 582.50 |
| 100+ | Dhs. 10.28 | Dhs. 1,028.00 |
| N+ | Dhs. 2.06 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de la mémoire | 64 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 2M x 32 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 166 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 5,5 ns |
| Tension - Alimentation | 3,15 V ~ 3,45 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 86-TFSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 86-TSOP II |
| RoHS |  |
IS42S32200C1-6TL-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 64 Mbit
La mémoire DRAM synchrone IS42S32200C1-6TL-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) de 64 Mbits offre une fiabilité élevée et est conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Ce composant mémoire haut de gamme présente une architecture 2M x 32, une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 5,5 ns, garantissant des performances exceptionnelles pour les systèmes critiques.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 5,5 ns garantissent un traitement rapide des données.
- Alimentation fiable : fonctionne avec une tension d'alimentation de 3,15 V à 3,45 V pour des performances stables.
- Large plage de températures : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C (TA) pour divers environnements d'exploitation
- Conception compacte : le boîtier CMS 86-TSOP II optimise l'espace sur le circuit imprimé.
- Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales en matière de fabrication responsable de produits électroniques
- Conditionnement en bande et bobine : pratique pour les processus d’assemblage automatisés
Spécifications techniques
Applications
Ce circuit intégré de mémoire SDRAM est idéal pour les applications à haute fiabilité, notamment les systèmes embarqués, l'automatisation industrielle, les équipements de télécommunications, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux et l'instrumentation aérospatiale, où la constance des performances et l'intégrité des données sont primordiales.
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