Passer aux informations produits
1 de 1
Image shown is a representation only. Exact specifications should be obtained from the product data sheet.
Prix habituel Dhs. 16.52
Prix habituel Dhs. 17.38 Prix promotionnel Dhs. 16.52
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 Dhs. 16.52 Dhs. 16.52
15+ Dhs. 15.99 Dhs. 239.85
25+ Dhs. 15.64 Dhs. 391.00
50+ Dhs. 14.77 Dhs. 738.50
100+ Dhs. 13.04 Dhs. 1,304.00
N+ Dhs. 2.61 Price Inquiry
Frais d'expédition calculés à l'étape de paiement.
Quantité
Component Recycling

Request Quote / Inquiry

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM
Taille de la mémoire 64 Mbits
Organisation de la mémoire 2M x 32
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 143 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 5,5 ns
Tension - Alimentation 3,15 V ~ 3,45 V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 90-LFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 90-BGA (13x8)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

IS42S32200C1-7BL-TR - Mémoire SDRAM haute performance de 64 Mbits

La mémoire IS42S32200C1-7BL-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une DRAM synchrone 64 Mbits haute fiabilité conçue pour les applications embarquées exigeantes. Cette SDRAM à interface parallèle dispose d'une organisation mémoire 2M x 32, offrant un temps d'accès rapide de 5,5 ns et une fréquence d'horloge de 143 MHz pour des performances optimales dans les systèmes industriels, de télécommunications, automobiles et médicaux.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 143 MHz et un temps d'accès de 5,5 ns garantissent un traitement rapide des données.
  • Configuration mémoire optimale : capacité de 64 Mbits organisée en 2 M x 32 pour une intégration système flexible
  • Fiabilité de niveau industriel : plage de températures de fonctionnement de 0 °C à 70 °C pour des performances stables
  • Alimentation standard 3,3 V : plage de tension de 3,15 V à 3,45 V pour une intégration facile aux conceptions existantes
  • Boîtier compact : le boîtier CMS 90-LFBGA (13 x 8 mm) permet de gagner de la place sur la carte.
  • Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales.

Applications idéales

Idéal pour les systèmes aérospatiaux, l'électronique automobile, les équipements de contrôle industriel, les infrastructures de télécommunications, les dispositifs médicaux et les plateformes informatiques embarquées nécessitant des solutions de mémoire volatile fiables et à haute vitesse.

Spécifications techniques complètes

Pourquoi choisir cette SDRAM ? Forte de la réputation d’ISSI en matière de solutions semi-conducteurs de qualité, cette SDRAM offre un équilibre parfait entre vitesse, capacité et fiabilité pour les applications professionnelles exigeant une longue durée de vie et des performances constantes.