ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200C1-7TL-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 12.44 | Dhs. 12.44 |
| 15+ | Dhs. 12.02 | Dhs. 180.30 |
| 25+ | Dhs. 11.76 | Dhs. 294.00 |
| 50+ | Dhs. 11.11 | Dhs. 555.50 |
| 100+ | Dhs. 9.80 | Dhs. 980.00 |
| N+ | Dhs. 1.96 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de la mémoire | 64 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 2M x 32 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 143 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 5,5 ns |
| Tension - Alimentation | 3,15 V ~ 3,45 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 86-TFSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 86-TSOP II |
| RoHS |  |
IS42S32200C1-7TL-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 64 Mbit
La mémoire DRAM synchrone IS42S32200C1-7TL-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) de 64 Mbits offre une fiabilité élevée et est conçue pour les applications embarquées, industrielles et de télécommunications exigeantes. Ce circuit intégré de mémoire à montage en surface (CMS) offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 143 MHz et un temps d'accès ultrarapide de 5,5 ns, ce qui le rend idéal pour les systèmes nécessitant un traitement rapide des données et des opérations mémoire fiables.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 143 MHz et un temps d'accès de 5,5 ns garantissent un débit de données rapide pour les applications critiques en termes de temps.
- Organisation optimale de la mémoire : la configuration 2 Mo x 32 offre une architecture mémoire flexible pour répondre à divers besoins système.
- Fiabilité de niveau industriel : La plage de températures de fonctionnement de 0 °C à 70 °C permet un déploiement dans des environnements difficiles.
- Conception compacte : le boîtier CMS 86-TSOP II (largeur de 0,400") optimise l'utilisation de l'espace sur la carte.
- Fonctionnement sous tension standard : une tension d’alimentation de 3,15 V à 3,45 V assure la compatibilité avec les rails d’alimentation des systèmes courants.
- Interface parallèle : intégration simple avec les microcontrôleurs, les FPGA et les processeurs
- Conforme à la norme RoHS : Répond aux normes environnementales pour un déploiement sur le marché mondial
Applications idéales
Ce circuit intégré SDRAM est parfaitement adapté pour :
- Systèmes informatiques embarqués et contrôleurs industriels
- Équipements de télécommunications et infrastructure de réseau
- Dispositifs médicaux nécessitant des performances de mémoire fiables
- Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles
- Instrumentation de test et de mesure
- Systèmes d'acquisition et de traitement des données
Spécifications techniques
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