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25+ Dhs. 9.07 Dhs. 226.75
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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM
Taille de la mémoire 64 Mbits
Organisation de la mémoire 2M x 32
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 200 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 4,8 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 86-TFSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 86-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 64 Mbits

Le circuit intégré IS42S32200L-5TL-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) est une mémoire SDRAM 64 Mbit haute fiabilité conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Cette mémoire DRAM volatile offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 200 MHz et un temps d'accès ultrarapide de 4,8 ns, ce qui la rend idéale pour les systèmes embarqués nécessitant un traitement rapide des données et des opérations mémoire fiables.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances haute vitesse : une fréquence d'horloge de 200 MHz et un temps d'accès de 4,8 ns garantissent une récupération rapide des données pour les applications critiques en termes de temps.
  • Configuration mémoire optimale : l'organisation 2M x 32 offre une flexibilité d'adressage mémoire pour les systèmes embarqués complexes.
  • Large plage de fonctionnement : tension d'alimentation de 3 V à 3,6 V et température de fonctionnement de 0 °C à 70 °C pour une utilisation polyvalente.
  • Conception compacte : le boîtier CMS 86-TSOP II (0,400 pouce, largeur 10,16 mm) optimise l’espace sur le circuit imprimé.
  • Interface standard de l'industrie : l'interface mémoire parallèle assure la compatibilité avec les architectures système existantes.
  • Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Spécifications techniques

Applications

Ce circuit intégré de mémoire SDRAM est spécialement conçu pour les systèmes embarqués critiques, notamment :

  • Systèmes avioniques et de commandes de vol aérospatiales
  • calculateurs automobiles et systèmes avancés d'aide à la conduite (ADAS)
  • équipements d'automatisation industrielle et de contrôle des processus
  • Dispositifs de diagnostic et de surveillance médicale
  • Équipements d'infrastructure et de réseau de télécommunications
  • Systèmes d'acquisition de données à haute fiabilité

Pourquoi choisir les solutions de mémoire ISSI ?

Depuis plus de trente ans, ISSI s'est imposée comme un fournisseur de confiance de solutions de mémoire à semi-conducteurs haute fiabilité. La puce IS42S32200L-5TL-TR illustre parfaitement l'engagement d'ISSI envers la qualité, la performance et la fiabilité dans les applications exigeantes où la moindre défaillance est inacceptable. Chaque composant est soumis à des tests rigoureux afin de garantir des performances constantes sur toute la plage de températures de fonctionnement.

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