ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200L-6BL-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 11.84 | Dhs. 11.84 |
| 15+ | Dhs. 11.48 | Dhs. 172.20 |
| 25+ | Dhs. 11.23 | Dhs. 280.75 |
| 50+ | Dhs. 10.61 | Dhs. 530.50 |
| 100+ | Dhs. 9.36 | Dhs. 936.00 |
| N+ | Dhs. 1.87 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de la mémoire | 64 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 2M x 32 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 166 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 5,4 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 90-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 90-TFBGA (8x13) |
| RoHS |
IS42S32200L-6BL-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 64 Mbit
La mémoire DRAM synchrone IS42S32200L-6BL-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) de 64 Mbits offre une fiabilité élevée et est conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels et des infrastructures de télécommunications. Ce circuit intégré SDRAM à montage en surface offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 5,4 ns, ce qui en fait la solution idéale pour les systèmes embarqués critiques nécessitant des solutions de mémoire rapides et fiables.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 5,4 ns garantissent un traitement rapide des données pour les applications critiques en temps réel.
- Configuration mémoire optimale : capacité de 64 Mbits organisée en 2 M x 32, offrant une architecture mémoire flexible pour répondre à divers besoins système.
- Fiabilité de niveau industriel : La plage de températures de fonctionnement de 0 °C à 70 °C (TA) garantit des performances stables dans des environnements difficiles.
- Conception compacte : le boîtier 90-TFBGA (8x13) réduit l'encombrement sur le circuit imprimé tout en maintenant une connectivité robuste
- Large plage de tension : la tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V offre une compatibilité avec diverses conceptions de systèmes et configurations d’alimentation.
- Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement, conforme aux normes internationales relatives aux substances dangereuses.
Spécifications techniques
Applications et cas d'utilisation
Cette mémoire SDRAM haute performance est conçue pour les applications exigeant un accès mémoire rapide et fiable, notamment les systèmes informatiques embarqués, les contrôleurs d'automatisation industrielle, les équipements de diagnostic médical, l'électronique automobile, les infrastructures de télécommunications et les systèmes d'acquisition de données. Son interface parallèle et sa large plage de températures de fonctionnement la rendent particulièrement adaptée aux environnements industriels difficiles.
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