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25+ Dhs. 11.23 Dhs. 280.75
50+ Dhs. 10.61 Dhs. 530.50
100+ Dhs. 9.36 Dhs. 936.00
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Quantité
Component Recycling

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM
Taille de la mémoire 64 Mbits
Organisation de la mémoire 2M x 32
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 166 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 5,4 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 90-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 90-TFBGA (8x13)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

IS42S32200L-6BL-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 64 Mbit

La mémoire DRAM synchrone IS42S32200L-6BL-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) de 64 Mbits offre une fiabilité élevée et est conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels et des infrastructures de télécommunications. Ce circuit intégré SDRAM à montage en surface offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 5,4 ns, ce qui en fait la solution idéale pour les systèmes embarqués critiques nécessitant des solutions de mémoire rapides et fiables.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 5,4 ns garantissent un traitement rapide des données pour les applications critiques en temps réel.
  • Configuration mémoire optimale : capacité de 64 Mbits organisée en 2 M x 32, offrant une architecture mémoire flexible pour répondre à divers besoins système.
  • Fiabilité de niveau industriel : La plage de températures de fonctionnement de 0 °C à 70 °C (TA) garantit des performances stables dans des environnements difficiles.
  • Conception compacte : le boîtier 90-TFBGA (8x13) réduit l'encombrement sur le circuit imprimé tout en maintenant une connectivité robuste
  • Large plage de tension : la tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V offre une compatibilité avec diverses conceptions de systèmes et configurations d’alimentation.
  • Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement, conforme aux normes internationales relatives aux substances dangereuses.

Spécifications techniques

Applications et cas d'utilisation

Cette mémoire SDRAM haute performance est conçue pour les applications exigeant un accès mémoire rapide et fiable, notamment les systèmes informatiques embarqués, les contrôleurs d'automatisation industrielle, les équipements de diagnostic médical, l'électronique automobile, les infrastructures de télécommunications et les systèmes d'acquisition de données. Son interface parallèle et sa large plage de températures de fonctionnement la rendent particulièrement adaptée aux environnements industriels difficiles.

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