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25+ Dhs. 12.03 Dhs. 300.75
50+ Dhs. 11.36 Dhs. 568.00
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Quantité
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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM
Taille de la mémoire 64 Mbits
Organisation de la mémoire 2M x 32
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 166 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 5,4 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 90-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 90-TFBGA (8x13)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

IS42S32200L-6BLI-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 64 Mbit

La puce IS42S32200L-6BLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire DRAM synchrone (SDRAM) 64 Mbit haut de gamme, conçue pour les applications critiques exigeant une fiabilité et des performances exceptionnelles. Cette solution de mémoire à interface parallèle offre un stockage de données robuste grâce à son organisation 2M x 32, ce qui la rend idéale pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels, des dispositifs médicaux et des équipements de télécommunications.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 5,4 ns garantissent un traitement rapide des données pour les applications critiques en temps réel.
  • Configuration mémoire optimale : une capacité de 64 Mbits avec une organisation 2M x 32 offre une architecture mémoire flexible pour les conceptions de systèmes complexes.
  • Large plage de fonctionnement : fonctionne de manière fiable dans une plage de températures allant de -40 °C à 85 °C, idéal pour les environnements industriels difficiles.
  • Tension standard industrielle : la tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V assure la compatibilité avec les conceptions de systèmes standard.
  • Boîtier compact : le boîtier CMS 90-TFBGA (8x13) optimise l'espace sur le circuit imprimé.
  • Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial

Spécifications techniques

Applications

Cette mémoire SDRAM haute fiabilité est spécialement conçue pour les applications exigeantes, notamment :

  • Systèmes aérospatiaux et de défense nécessitant des composants certifiés
  • Électronique automobile et ADAS (systèmes avancés d'aide à la conduite)
  • Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
  • Équipements de diagnostic et d'imagerie médicale
  • Infrastructure de télécommunications
  • Plateformes informatiques embarquées hautes performances

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