ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200L-6TL-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 8.80 | Dhs. 8.80 |
| 15+ | Dhs. 8.51 | Dhs. 127.65 |
| 25+ | Dhs. 8.33 | Dhs. 208.25 |
| 50+ | Dhs. 7.86 | Dhs. 393.00 |
| 100+ | Dhs. 6.94 | Dhs. 694.00 |
| N+ | Dhs. 1.39 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de la mémoire | 64 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 2M x 32 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 166 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 5,4 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 86-TFSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 86-TSOP II |
| RoHS |  |
IS42S32200L-6TL-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 64 Mbit
Le circuit intégré IS42S32200L-6TL-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) est une mémoire DRAM synchrone (SDRAM) 64 Mbit haute fiabilité, conçue pour les systèmes embarqués et les applications critiques. Cette mémoire volatile offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès ultrarapide de 5,4 ns, ce qui la rend idéale pour les applications aérospatiales, automobiles, industrielles, médicales et de télécommunications.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 5,4 ns garantissent un traitement rapide des données.
- Configuration mémoire optimale : capacité de 64 Mbits avec une organisation de 2 M x 32 pour une gestion efficace des données parallèles.
- Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V et température de fonctionnement de 0 °C à 70 °C
- Boîtier standard : Boîtier CMS 86-TSOP II (0,400 pouce, largeur 10,16 mm) pour une intégration fiable sur circuit imprimé
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
- Conditionnement en bande et bobine : Prêt pour l'assemblage automatisé et la production en grande série
Spécifications techniques
Applications
Ce circuit intégré de mémoire SDRAM est conçu pour les applications exigeantes, notamment les contrôleurs embarqués, les systèmes d'automatisation industrielle, les équipements de télécommunications, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux et l'instrumentation aérospatiale, où la fiabilité et les performances sont primordiales.
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