ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200L-7BL
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 11.87 | Dhs. 11.87 |
| 15+ | Dhs. 11.51 | Dhs. 172.65 |
| 25+ | Dhs. 11.26 | Dhs. 281.50 |
| 50+ | Dhs. 10.63 | Dhs. 531.50 |
| 100+ | Dhs. 9.38 | Dhs. 938.00 |
| N+ | Dhs. 1.88 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Plateau | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de la mémoire | 64 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 2M x 32 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 143 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 5,4 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 90-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 90-TFBGA (8x13) |
| RoHS |  |
IS42S32200L-7BL - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 64 Mbit
La mémoire DRAM synchrone IS42S32200L-7BL d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) de 64 Mbits offre une fiabilité élevée et est conçue pour les applications exigeantes dans les secteurs de l'automobile, du contrôle industriel, des télécommunications et des systèmes embarqués. Cette SDRAM à interface parallèle offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 143 MHz et un temps d'accès rapide de 5,4 ns, ce qui la rend idéale pour les applications critiques nécessitant des solutions de mémoire fiables et rapides.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 143 MHz et un temps d’accès de 5,4 ns garantissent un traitement rapide des données.
- Organisation optimale de la mémoire : la configuration 2M x 32 offre une architecture mémoire flexible pour diverses applications.
- Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V et température de fonctionnement de 0 °C à 70 °C
- Boîtier compact : Boîtier CMS 90-TFBGA (8x13) pour les conceptions haute densité
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
- Distribution agréée : Composants ISSI authentiques avec traçabilité complète et assistance du fabricant
Applications idéales
Cette mémoire SDRAM est parfaitement adaptée à l'électronique automobile, aux contrôleurs d'automatisation industrielle, aux dispositifs médicaux, aux équipements de télécommunications, au matériel de réseau et aux systèmes informatiques embarqués où la fiabilité et les performances sont primordiales.
Spécifications techniques
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