ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200L-7BLI
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 14.27 | Dhs. 14.27 |
| 15+ | Dhs. 13.82 | Dhs. 207.30 |
| 25+ | Dhs. 13.52 | Dhs. 338.00 |
| 50+ | Dhs. 12.77 | Dhs. 638.50 |
| 100+ | Dhs. 11.27 | Dhs. 1,127.00 |
| N+ | Dhs. 2.25 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Plateau | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de la mémoire | 64 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 2M x 32 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 143 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 5,4 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 90-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 90-TFBGA (8x13) |
| RoHS |  |
IS42S32200L-7BLI - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 64 Mbit
La mémoire DRAM synchrone IS42S32200L-7BLI d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) de 64 Mbits offre une fiabilité élevée et est conçue pour les applications critiques dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Ce circuit intégré de mémoire à montage en surface garantit des performances robustes grâce à sa fréquence d'horloge de 143 MHz et sa large plage de températures de fonctionnement (de -40 °C à 85 °C), ce qui la rend idéale pour les systèmes embarqués exigeants.
Principales caractéristiques et avantages
- Capacité de 64 Mbits : l'organisation 2M x 32 offre une architecture mémoire flexible pour les applications complexes.
- Temps d'accès rapide : un temps d'accès de 5,4 ns garantit des performances système réactives.
- Plage de températures industrielles : fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
- Faible consommation : tension d'alimentation de 3 V à 3,6 V pour des conceptions écoénergétiques
- Boîtier compact : boîtier CMS 90-TFBGA (8 x 13 mm) pour les circuits imprimés à espace restreint
- Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial
Applications
Cette mémoire SDRAM est conçue pour une disponibilité à long terme et une traçabilité complète, prenant en charge les conceptions critiques dans les équipements de réseau, les systèmes de contrôle automobile, les dispositifs médicaux, l'automatisation industrielle et l'instrumentation aérospatiale.
Spécifications techniques complètes
IS42S32200L-7BLI.pdf