Passer aux informations produits
1 de 1
Image shown is a representation only. Exact specifications should be obtained from the product data sheet.
Prix habituel Dhs. 9.93
Prix habituel Dhs. 10.45 Prix promotionnel Dhs. 9.93
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 Dhs. 9.93 Dhs. 9.93
15+ Dhs. 9.61 Dhs. 144.15
25+ Dhs. 9.41 Dhs. 235.25
50+ Dhs. 8.88 Dhs. 444.00
100+ Dhs. 7.84 Dhs. 784.00
N+ Dhs. 1.57 Price Inquiry
Frais d'expédition calculés à l'étape de paiement.
Quantité
Component Recycling

Request Quote / Inquiry

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Plateau |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM
Taille de la mémoire 64 Mbits
Organisation de la mémoire 2M x 32
Interface mémoire LVTTL
Fréquence d'horloge 166 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 5,4 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 90-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 90-TFBGA (8x13)

IS42S32200N-6BL - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance

L' IS42S32200N-6BL est un circuit intégré de mémoire DRAM synchrone (SDRAM) de 64 Mbits haute fiabilité, fabriqué par ISSI (Integrated Silicon Solution Inc). Cette solution de mémoire volatile avancée offre des performances exceptionnelles pour les applications de systèmes embarqués exigeantes dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès ultra-rapide de 5,4 ns garantissent un traitement rapide des données.
  • Organisation optimale de la mémoire : la configuration 2M x 32 offre une architecture mémoire flexible pour diverses applications.
  • Interface conforme aux normes industrielles : l’interface LVTTL assure une intégration transparente avec les systèmes existants.
  • Fonctionnement fiable : Plage de températures de fonctionnement de 0 °C à 70 °C (TA) pour des performances constantes
  • Conception compacte pour montage en surface : le boîtier 90-TFBGA (8x13) optimise l’utilisation de l’espace sur la carte.
  • Large plage de tension : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour une gestion flexible de l’alimentation

Spécifications techniques

Applications

La mémoire SDRAM IS42S32200N-6BL est conçue pour les applications critiques nécessitant un stockage de mémoire volatile rapide et fiable. Exemples d'applications :

  • Systèmes avioniques et de commandes de vol aérospatiales
  • Unités de commande électroniques automobiles (ECU) et systèmes d'infodivertissement
  • équipements d'automatisation industrielle et de contrôle des processus
  • Dispositifs de diagnostic et d'imagerie médicale
  • Équipements d'infrastructure et de réseau de télécommunications
  • Plateformes informatiques embarquées et systèmes à microcontrôleurs

Pourquoi choisir HQICKEY pour vos composants de mémoire ?

Chez HQICKEY , nous sommes spécialisés dans la fourniture de composants semi-conducteurs haut de gamme pour les applications les plus exigeantes. Notre vaste catalogue propose des solutions de mémoire de pointe, issues de fabricants de confiance du monde entier. Grâce à un contrôle qualité rigoureux, un réseau de distribution international et une assistance technique experte, nous vous garantissons des composants authentiques et performants pour vos projets critiques.

Produits et ressources connexes

Découvrez notre vaste gamme de mémoires, incluant DRAM, SRAM, Flash et autres technologies de mémoire des plus grands fabricants. Notre sélection s'étend de 64 bits à 6 To, répondant ainsi aux exigences variées des systèmes embarqués.

Restez informé des dernières tendances, nouveautés et analyses techniques du secteur des semi-conducteurs en consultant notre blog d'actualités .

Commandez dès aujourd'hui l'IS42S32200N-6BL et découvrez la différence HQICKEY en matière d'excellence dans le domaine des semi-conducteurs.