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Prix habituel Dhs. 9.03
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Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 Dhs. 9.03 Dhs. 9.03
15+ Dhs. 8.75 Dhs. 131.25
25+ Dhs. 8.56 Dhs. 214.00
50+ Dhs. 8.08 Dhs. 404.00
100+ Dhs. 7.13 Dhs. 713.00
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Quantité
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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM
Taille de la mémoire 64 Mbits
Organisation de la mémoire 2M x 32
Interface mémoire LVTTL
Fréquence d'horloge 166 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 5,4 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 90-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 90-TFBGA (8x13)

IS42S32200N-6BL-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 64 Mbit

La puce IS42S32200N-6BL-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire SDRAM 64 Mbit haute fiabilité conçue pour les applications embarquées et critiques exigeantes. Ce dispositif DRAM volatil dispose d'une organisation mémoire 2M x 32, d'une fréquence d'horloge rapide de 166 MHz et d'un temps d'accès de 5,4 ns, ce qui la rend idéale pour les systèmes aérospatiaux, automobiles, industriels, médicaux et de télécommunications nécessitant un traitement rapide des données et des performances exceptionnelles.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances haute vitesse : une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 5,4 ns garantissent une récupération rapide des données pour les applications critiques en temps réel.
  • Architecture mémoire robuste : capacité de 64 Mbits avec une organisation 2M x 32 pour une gestion flexible de la mémoire
  • Fiabilité de qualité industrielle : plage de températures de fonctionnement de 0 °C à 70 °C (TA) pour les environnements difficiles
  • Interface LVTTL : Interface TTL basse tension pour un fonctionnement écoénergétique avec une tension d'alimentation de 3 V à 3,6 V
  • Boîtier compact pour montage en surface : le boîtier 90-TFBGA (8x13) optimise l’espace sur la carte dans les conceptions à espace limité.
  • Conditionnement en bande et bobine : Prêt pour l'assemblage automatisé et la production en grande série

Spécifications techniques

Applications

Ce circuit intégré de mémoire SDRAM est parfaitement adapté pour :

  • Systèmes aérospatiaux et de défense nécessitant une disponibilité sur un long cycle de vie
  • Électronique automobile et ADAS (systèmes avancés d'aide à la conduite)
  • Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
  • Équipements de diagnostic et d'imagerie médicale
  • Équipements d'infrastructure et de réseau de télécommunications
  • Plateformes informatiques embarquées et systèmes d'acquisition de données

Pourquoi choisir les solutions de mémoire ISSI ?

ISSI est réputée pour fournir des composants semi-conducteurs de qualité industrielle, d'une fiabilité exceptionnelle et d'une disponibilité produit à long terme. Le modèle IS42S32200N-6BL-TR illustre parfaitement l'engagement d'ISSI envers la qualité, offrant des performances constantes même dans des conditions d'utilisation exigeantes et une durée de vie prolongée, essentielles pour les applications critiques.

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