ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200N-6BLI
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 12.21 | Dhs. 12.21 |
| 15+ | Dhs. 11.82 | Dhs. 177.30 |
| 25+ | Dhs. 11.57 | Dhs. 289.25 |
| 50+ | Dhs. 10.92 | Dhs. 546.00 |
| 100+ | Dhs. 9.64 | Dhs. 964.00 |
| N+ | Dhs. 1.93 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Plateau | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de la mémoire | 64 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 2M x 32 |
| Interface mémoire | LVTTL |
| Fréquence d'horloge | 166 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 5,4 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 90-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 90-TFBGA (8x13) |
| RoHS |  |
IS42S32200N-6BLI - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 64 Mbit
La mémoire DRAM synchrone IS42S32200N-6BLI d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) de 64 Mbits est une solution haute fiabilité conçue pour les applications exigeantes nécessitant des temps d'accès rapides et une stabilité optimale sur une large plage de températures industrielles. Cette mémoire volatile, organisée en 2M x 32 avec interface LVTTL, est idéale pour les systèmes embarqués, les contrôleurs industriels, les équipements de télécommunications et les applications automobiles.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 5,4 ns garantissent un traitement rapide des données.
- Organisation flexible de la mémoire : configuration 2 M x 32 optimisée pour les architectures de bus de données 32 bits
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C (TA) pour les environnements difficiles.
- Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour des conceptions économes en énergie
- Boîtier compact : le boîtier CMS 90-TFBGA (8 x 13 mm) permet de gagner de la place sur la carte.
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales.
Spécifications techniques
Applications
Ce circuit intégré SDRAM est parfaitement adapté pour :
- Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
- Plateformes informatiques embarquées
- Infrastructure de télécommunications
- Électronique automobile (infodivertissement, ADAS)
- Dispositifs et instruments médicaux
- Équipements de réseau et routeurs
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