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15+ Dhs. 9.79 Dhs. 146.85
25+ Dhs. 9.58 Dhs. 239.50
50+ Dhs. 9.04 Dhs. 452.00
100+ Dhs. 7.98 Dhs. 798.00
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Quantité
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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM
Taille de la mémoire 64 Mbits
Organisation de la mémoire 2M x 32
Interface mémoire LVTTL
Fréquence d'horloge 166 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 5,4 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 86-TFSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 86-TSOP II

IS42S32200N-6TLI-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 64 Mbit

La mémoire DRAM synchrone IS42S32200N-6TLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) de 64 Mbits offre une fiabilité élevée et est conçue pour les applications embarquées exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Cette mémoire volatile garantit des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès ultrarapide de 5,4 ns, ce qui la rend idéale pour le traitement en temps réel et les applications gourmandes en données.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 5,4 ns garantissent une récupération rapide des données pour les opérations critiques en temps réel.
  • Organisation flexible de la mémoire : la configuration 2 Mo x 32 offre un équilibre optimal entre densité et bande passante.
  • Fiabilité de niveau industriel : Plage de températures de fonctionnement de -40 °C à 85 °C (TA) pour une utilisation en environnement difficile
  • Interface LVTTL : La compatibilité TTL basse tension réduit la consommation d’énergie tout en préservant l’intégrité du signal.
  • Conception pour montage en surface : boîtier 86-TSOP II (0,400 pouce, largeur 10,16 mm) optimisé pour l’assemblage automatisé et les agencements de circuits imprimés à espace restreint.
  • Large plage de tension : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour une intégration système flexible

Spécifications techniques

Applications

Cette mémoire SDRAM est conçue pour les applications critiques exigeant une fiabilité élevée et des performances constantes dans des plages de températures extrêmes. Exemples d'utilisation :

  • Systèmes avioniques et de commandes de vol aérospatiales
  • Plateformes ECU et ADAS automobiles
  • Contrôleurs d'automatisation industrielle et de robotique
  • Équipements d'imagerie médicale et de diagnostic
  • Infrastructures de télécommunications et stations de base
  • Systèmes informatiques embarqués nécessitant un stockage de données rapide et temporaire

Pourquoi choisir les solutions de mémoire ISSI ?

ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) est un leader reconnu dans le domaine des solutions de mémoire semi-conductrice haute fiabilité. Forte de plusieurs décennies d'expertise dans les technologies de mémoire volatile et non volatile, ISSI fournit des composants répondant aux exigences strictes de qualité et de performance des applications critiques. Le composant IS42S32200N-6TLI-TR illustre l'engagement d'ISSI envers l'excellence technique et offre une fiabilité éprouvée pour vos systèmes embarqués les plus exigeants.

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