ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200N-7BLI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 10.49 | Dhs. 10.49 |
| 15+ | Dhs. 10.17 | Dhs. 152.55 |
| 25+ | Dhs. 9.95 | Dhs. 248.75 |
| 50+ | Dhs. 9.39 | Dhs. 469.50 |
| 100+ | Dhs. 8.29 | Dhs. 829.00 |
| N+ | Dhs. 1.66 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de la mémoire | 64 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 2M x 32 |
| Interface mémoire | LVTTL |
| Fréquence d'horloge | 143 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 5,4 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 90-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 90-TFBGA (8x13) |
IS42S32200N-7BLI-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 64 Mbit
La puce mémoire SDRAM IS42S32200N-7BLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire haute fiabilité de 64 Mbits conçue pour les applications industrielles, automobiles et embarquées exigeantes. Cette DRAM volatile dispose d'une organisation mémoire 2M x 32 avec interface LVTTL, offrant des performances exceptionnelles à une fréquence d'horloge de 143 MHz et un temps d'accès de 5,4 ns.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 143 MHz et un temps d'accès de 5,4 ns garantissent un traitement rapide des données pour les applications critiques en termes de temps.
- Large plage de fonctionnement : fonctionne de manière fiable dans une plage de températures allant de -40 °C à 85 °C, idéal pour les environnements industriels difficiles.
- Conception compacte pour montage en surface : le boîtier 90-TFBGA (8x13) optimise l’utilisation de l’espace sur la carte.
- Fonctionnement sous tension standard : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour une compatibilité avec les systèmes courants.
- Fiabilité éprouvée : Fabriqué par ISSI, un leader reconnu dans le domaine des solutions de mémoire à semi-conducteurs.
Spécifications techniques
Applications
Ce circuit intégré de mémoire SDRAM est parfaitement adapté pour :
- systèmes de contrôle industriel et équipements d'automatisation
- Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles
- Dispositifs médicaux nécessitant une haute fiabilité
- Infrastructure de télécommunications
- Plateformes informatiques embarquées
- applications aérospatiales et de défense
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