ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200N-7TL-TR

IS42S32200N-7TL-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 64 Mbit

La puce IS42S32200N-7TL-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) est une DRAM synchrone haute performance de 64 Mbits conçue pour les systèmes embarqués et les applications industrielles exigeant des solutions de mémoire fiables et rapides. Ce circuit intégré SDRAM dispose d'une organisation mémoire 2M x 32, d'une fréquence d'horloge de 143 MHz et d'un temps d'accès de 5,4 ns, ce qui la rend idéale pour les applications gourmandes en données dans les télécommunications, les équipements de réseau, les contrôleurs industriels et les plateformes informatiques embarquées.

Principales caractéristiques et avantages

• Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 143 MHz et un temps d'accès de 5,4 ns garantissent un traitement rapide des données pour les applications exigeantes.
• Configuration mémoire optimale : une capacité de 64 Mbits avec une organisation 2M x 32 offre une architecture mémoire flexible aux concepteurs de systèmes.
• Interface standard de l'industrie : l'interface LVTTL assure la compatibilité avec une large gamme de microcontrôleurs et de processeurs.
• Fonctionnement fiable : tension d'alimentation de 3 V à 3,6 V et plage de température de fonctionnement de 0 °C à 70 °C pour une fiabilité de niveau industriel
• Boîtier compact : le boîtier CMS 86-TSOP II optimise l'espace sur la carte dans les conceptions compactes.
• Conditionnement prêt pour la production : Emballage en bande et bobine pour l’assemblage automatisé et la fabrication en grande série

Applications techniques

Ce circuit intégré SDRAM est conçu pour des applications professionnelles telles que les routeurs et commutateurs réseau, les systèmes d'automatisation industrielle, les modules informatiques embarqués, les infrastructures de télécommunications, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux et les équipements de test et de mesure. La technologie DRAM volatile offre des cycles de lecture/écriture rapides, essentiels au traitement des données en temps réel et aux opérations de mise en mémoire tampon.

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Spécifications techniques complètes

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