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Quantity Unit Price Total Price
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15+ Dhs. 7.76 Dhs. 116.40
25+ Dhs. 7.59 Dhs. 189.75
50+ Dhs. 7.17 Dhs. 358.50
100+ Dhs. 6.32 Dhs. 632.00
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Quantité
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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM
Taille de la mémoire 64 Mbits
Organisation de la mémoire 2M x 32
Interface mémoire LVTTL
Fréquence d'horloge 143 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 5,4 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 86-TFSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 86-TSOP II

IS42S32200N-7TLI-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 64 Mbit

La mémoire DRAM synchrone IS42S32200N-7TLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire haute performance de 64 Mbits conçue pour les systèmes embarqués et les applications industrielles exigeant des solutions de mémoire fiables et rapides. Cette SDRAM dispose d'une architecture 2M x 32, d'une fréquence d'horloge de 143 MHz et d'un temps d'accès de 5,4 ns, ce qui la rend idéale pour les applications gourmandes en données dans les télécommunications, les équipements de réseau, les contrôleurs industriels et les systèmes automobiles.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 143 MHz et un temps d'accès de 5,4 ns garantissent un traitement rapide des données pour les applications exigeantes.
  • Configuration mémoire optimale : une capacité de 64 Mbits avec une organisation 2M x 32 offre une architecture mémoire flexible aux concepteurs de systèmes.
  • Large plage de fonctionnement : sa plage de températures de -40 °C à 85 °C le rend adapté aux environnements industriels difficiles.
  • Interface standard de l'industrie : l'interface LVTTL assure la compatibilité avec une large gamme de microcontrôleurs et de processeurs.
  • Alimentation fiable : la plage de tension de 3 V à 3,6 V assure un fonctionnement stable avec les systèmes d'alimentation standard.
  • Boîtier compact : le boîtier CMS 86-TSOP II (86-TFSOP) minimise l'encombrement sur le circuit imprimé.
  • Prêt pour la production : Conditionnement en bande et bobine pour l'assemblage automatisé et la fabrication en grande série

Applications typiques

Ce circuit intégré de mémoire SDRAM est conçu pour des applications professionnelles telles que les systèmes informatiques embarqués, les contrôleurs d'automatisation industrielle, les équipements de réseau et de télécommunications, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux, les instruments de test et de mesure, ainsi que les systèmes d'acquisition de données. La technologie DRAM volatile offre des cycles de lecture/écriture rapides, essentiels pour les applications en temps réel.

Garantie de qualité et d'authenticité

Chez HQICKEY, nous garantissons l'authenticité de nos composants ISSI, provenant directement de distributeurs agréés. Chaque puce IS42S32200N-7TLI-TR est soumise à un contrôle qualité rigoureux et est accompagnée d'une documentation de traçabilité complète. Nous assurons une disponibilité tout au long du cycle de vie de nos produits et un support technique dédié pour accompagner les équipementiers et les intégrateurs système lors des phases de développement et de production.

Spécifications techniques complètes

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