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15+ Dhs. 12.65 Dhs. 189.75
25+ Dhs. 12.38 Dhs. 309.50
50+ Dhs. 11.69 Dhs. 584.50
100+ Dhs. 10.31 Dhs. 1,031.00
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Quantité
Component Recycling

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Plateau |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM
Taille de la mémoire 128 Mbit
Organisation de la mémoire 4M x 32
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 166 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 5,4 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 86-TFSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 86-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

IS42S32400F-6TL - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 128 Mbit

Le circuit intégré IS42S32400F-6TL d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire DRAM synchrone (SDRAM) haut de gamme de 128 Mbits, conçue pour les applications à haute fiabilité dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Cette solution de mémoire volatile offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès ultrarapide de 5,4 ns, ce qui la rend idéale pour les systèmes embarqués exigeants et les applications critiques.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances haute vitesse : une fréquence d'horloge de 166 MHz avec un temps d'accès de 5,4 ns garantit un traitement rapide des données et une latence minimale.
  • Organisation optimale de la mémoire : la configuration 4M x 32 (capacité totale de 128 Mbit) offre une architecture mémoire flexible pour diverses applications.
  • Interface parallèle : une interface mémoire parallèle efficace permet un transfert de données à haut débit.
  • Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V et plage de température de fonctionnement de 0 °C à 70 °C
  • Conception à montage en surface : Boîtier compact 86-TSOP II (0,400 pouce, largeur 10,16 mm) optimisé pour l’assemblage automatisé et les conceptions à espace restreint
  • Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes internationales relatives aux restrictions sur les substances dangereuses.
  • Conditionnement en barquettes : Emballage professionnel pour une production de masse et une efficacité de fabrication optimales

Spécifications techniques

Applications et cas d'utilisation

Cette mémoire SDRAM haute fiabilité est parfaitement adaptée pour :

  • Systèmes aérospatiaux et de défense exigeant une fiabilité éprouvée
  • Électronique automobile et systèmes avancés d'aide à la conduite (ADAS)
  • Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
  • Équipements de diagnostic et d'imagerie médicale
  • Équipements d'infrastructure et de réseau de télécommunications
  • Plateformes informatiques embarquées et systèmes d'acquisition de données

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