ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400F-6TL-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 12.44 | Dhs. 12.44 |
| 15+ | Dhs. 12.02 | Dhs. 180.30 |
| 25+ | Dhs. 11.76 | Dhs. 294.00 |
| 50+ | Dhs. 11.11 | Dhs. 555.50 |
| 100+ | Dhs. 9.80 | Dhs. 980.00 |
| N+ | Dhs. 1.96 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de la mémoire | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 4M x 32 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 166 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 5,4 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 86-TFSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 86-TSOP II |
| RoHS |  |
IS42S32400F-6TL-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 128 Mbit
La mémoire DRAM synchrone IS42S32400F-6TL-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) de 128 Mbits offre une fiabilité élevée et est conçue pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Grâce à sa fréquence d'horloge de 166 MHz et son temps d'accès ultrarapide de 5,4 ns, cette mémoire volatile est idéale pour les systèmes embarqués exigeants et les applications de traitement en temps réel.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 5,4 ns garantissent un traitement rapide des données pour les applications critiques en temps réel.
- Organisation optimale de la mémoire : la configuration 4 Mo x 32 offre une architecture mémoire flexible pour répondre à divers besoins système.
- Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V et température de fonctionnement de 0 °C à 70 °C pour des performances fiables en milieu industriel.
- Interface standard du secteur : l’interface mémoire parallèle assure une intégration transparente avec les architectures système existantes.
- Boîtier compact : le boîtier CMS 86-TSOP II (0,400", largeur 10,16 mm) optimise l'utilisation de l'espace sur la carte.
- Conditionnement en bande et bobine : le conditionnement TR prend en charge les processus d'assemblage automatisés pour la fabrication en grande série.
- Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial
Spécifications techniques
Applications
Ce circuit intégré SDRAM est conçu pour des applications à haute fiabilité, notamment :
- Systèmes avioniques et de commandes de vol aérospatiales
- Plateformes ECU et ADAS automobiles
- Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
- Équipements de diagnostic et d'imagerie médicale
- Infrastructure de télécommunications
- Informatique embarquée et systèmes temps réel
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